高壓MOSFET功率器件4A-500V N溝道MOSFET半導體提供平面條紋和DMOS技術

高壓MOS管通常需要較大的柵極電壓，以使MOS管可以承受高電壓和高電流。高壓MOS管的溝道區(qū)寬、漏極區(qū)大、柵極采用特殊工藝，這些特點使得它的管子能夠承受高電壓。高壓MOS管可用于高壓電路，具有高電壓承受能力和低開關損耗，因此在高壓電路中得到了廣泛應用。深圳市華芯邦科技有限公司經(jīng)典且常用的高壓MOS管已經(jīng)被廣泛應用在開關電源、開關穩(wěn)壓器和電機驅(qū)動器等產(chǎn)品上，采用先進技術的N溝道模式功率MOSFET，為客戶提供平面條紋和 DMOS技術。該技術實現(xiàn)了最低的導通電阻和卓越的開關性能。它還可以承受雪崩和換向模式下的高能脈沖，4N50通常應用于高效開關電源、有源功率因數(shù)校正和基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。

作為一種高壓MOSFET，不止4N50，4N60也具有更好的產(chǎn)品特性，如開關時間快，柵極低充電，低導通狀態(tài)電阻和具有高崎嶇雪崩、耐用等特征，這些特點在開關、穩(wěn)壓電路等上具有重要作用。4N60可以在相對高壓情況下保持穩(wěn)定地工作，這對于高壓應用非常重要，這種功率的MOS管子通常應用在開關電源、PWM電機控制、開關轉(zhuǎn)換器、高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關穩(wěn)壓器、電機驅(qū)動器、繼電器驅(qū)動器和橋接電路等上面。 比如，在智能家電應用之高壓吹風機和智能高壓鍋等產(chǎn)品上，這款產(chǎn)品的漏極-源極擊穿電壓高達600V，4A的正向電流，具有高溫工作能力，高效率、穩(wěn)定、寬溫、安全等特點使得它在這類高壓應用上大有可為，在具體的開關電路、電機驅(qū)動電路上起到關鍵作用。4N60在開關電源應用上，由于它能夠承受較高的電壓，具有較小的導通電阻，它能夠在高壓開關電源上起到高效開關和穩(wěn)壓作用。

產(chǎn)品應用領域：1、電子鎮(zhèn)流器500V-MOS管，4N50于節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器。

2、27瓦熒光燈電源MOS管，4N50用于節(jié)能燈電源模組。

3、節(jié)能燈開關電源500V高壓MOS管

其他領域：LED燈，節(jié)能燈個人電腦電源輔助系統(tǒng)電視機，業(yè)晶電視手機，MP3/PDA數(shù)碼相機，DVD，機頂盒，交換機傳真機，打印機...等等

華芯邦科技HOTCHIP系列高壓MOSFET因其卓越的電氣特性，在眾多領域顯得尤為重要。這些MOSFET特別設計以實現(xiàn)快速的開關時間和低柵極充電，同時具有低導通狀態(tài)電阻，確保設備在高效運行時的能耗最小化。更為重要的是，他們可以承受高壓沖擊，具有良好的耐雪崩性能，使其在復雜且變化無常的電氣環(huán)境中，仍能保持可靠性和穩(wěn)定性。這些特性使得華芯邦高壓MOSFET在開關電源、PWM電機控制、開關轉(zhuǎn)換器、高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關穩(wěn)壓器、電機驅(qū)動器、繼電器驅(qū)動器和橋接電路等應用中非常適用，為各種高壓應用提供了理想的電源管理解決方案。這些技術的進步不斷推動著工業(yè)自動化和電子制造業(yè)的發(fā)展，使華芯邦在全球范圍內(nèi)受到青睞。

以下是部分高壓HV MOS系列型號：HWM1N50D HWM1N50DS HWM1N50C1 HWM1N50CS HWM1N50B1 HWM1N50BS HWM2N50A1 HWM2N50AS HWM3N50B HWM3N50BS HWM3N50A1 HWM4N50A1 HWM4N50AS HWM2N60B1 HWM2N60A HWM3N60A1 HWM3N60 HWM1N50A HWM1N50B2 HWM1N50C2 HWM2N50A2 HWM3N50A2 HWM4N50A2 HWM2N60B2 HWM2N60BP HWM3N60A2

審核編輯 黃宇