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SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-08-14 17:06 ? 次閱讀

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即開(kāi)發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV)工藝成本的不斷攀升,自1c DRAM商業(yè)化以來(lái),傳統(tǒng)制造工藝的經(jīng)濟(jì)性正受到嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。因此,公司決定嘗試4F2結(jié)構(gòu)DRAM,旨在通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新來(lái)縮減成本。

4F2結(jié)構(gòu)DRAM作為一種先進(jìn)的內(nèi)存制造技術(shù),通過(guò)垂直堆疊晶體管來(lái)優(yōu)化單元陣列結(jié)構(gòu),有效減少了芯片表面積,提升了制造效率。SK海力士此舉不僅體現(xiàn)了其對(duì)技術(shù)前沿的敏銳洞察,也彰顯了公司在面對(duì)成本壓力時(shí)的靈活應(yīng)對(duì)能力。未來(lái),隨著4F2結(jié)構(gòu)DRAM的推出,SK海力士有望進(jìn)一步提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,推動(dòng)行業(yè)成本優(yōu)化和技術(shù)進(jìn)步。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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