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ROHM開(kāi)發(fā)出安裝可靠性高的10種型號(hào)、3種封裝的車(chē)載Nch MOSFET

江師大電信小希 ? 來(lái)源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2024-08-12 11:20 ? 次閱讀

在汽車(chē)領(lǐng)域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也與日俱增,而且,為了提高燃油效率和降低電耗,還要求降低這些產(chǎn)品的功耗。其中,尤其是在對(duì)于車(chē)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用不可或缺的MOSFET市場(chǎng),對(duì)導(dǎo)通電阻低、損耗低且發(fā)熱量低的產(chǎn)品需求高漲。

ROHM一直在為消費(fèi)電子工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域提供采用中等耐壓新工藝的低導(dǎo)通電阻MOSFET。此次通過(guò) 將這種新工藝應(yīng)用于對(duì)可靠性要求高的車(chē)載產(chǎn)品,又開(kāi)發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻優(yōu)勢(shì)的10款車(chē)載Nch MOSFET新產(chǎn)品。不僅有近年來(lái)需求高漲的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封裝產(chǎn)品,還有傳統(tǒng)的TO- 252封裝產(chǎn)品,未來(lái)將會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容并持續(xù)供應(yīng)。

新產(chǎn)品的耐壓分別為40V、60V和100V,均通過(guò)采用split gate* 3實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻,有助于車(chē)載應(yīng)用的高效運(yùn)行。所有型號(hào)的新產(chǎn)品均符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,并確保高可靠性。

封裝有適用于不同應(yīng)用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG (3.3mm×3.3mm)非常適用于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等安裝面積較小的應(yīng)用。(找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城)另外還有已被廣泛用 于車(chē)載電源等應(yīng)用的TO-252(DPAK)封裝(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是 可潤(rùn)濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)* 4,TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結(jié)構(gòu)* 5,安裝可靠性都非常高。

目前,新產(chǎn)品暫以月產(chǎn)1,000萬(wàn)個(gè)(10種型號(hào)合計(jì))的規(guī)模量產(chǎn)(樣品價(jià)格500日元/個(gè),不含稅)。前 道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日 本福岡縣)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國(guó))。

未來(lái),ROHM將致力于擴(kuò)大車(chē)載用中等耐壓Nch MOSFET的產(chǎn)品陣容。計(jì)劃于2024年10月開(kāi)始量產(chǎn)DFN3333封裝(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封裝(5.0mm×6.0mm)的產(chǎn)品,于2025年開(kāi)始量產(chǎn)80V耐壓的產(chǎn)品。另外還計(jì)劃增加Pch產(chǎn)品。ROHM將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,為車(chē)載應(yīng)用的高效運(yùn)行和小型化貢獻(xiàn)力量。

<產(chǎn)品陣容>

wKgaoma4q9CAc0TiAAzxbEENkQk035.png

<應(yīng)用示例>

◇各種車(chē)載電機(jī)(汽車(chē)門(mén)鎖、座椅調(diào)節(jié)器、電動(dòng)車(chē)窗等)

LED前照燈

信息娛樂(lè)系統(tǒng)、車(chē)載顯示器

◇高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)

<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

*1) 導(dǎo)通電阻(Ron)

MOSFET啟動(dòng)(ON)時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小,運(yùn)行時(shí)的損耗(電力損耗)越少。

*2) Nch MOSFET

通過(guò)向柵極施加相對(duì)于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。與Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有 更低的導(dǎo)通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎。

*3) split gate

一種將MOSFET的柵極分為多段以有效調(diào)整電子流動(dòng)的技術(shù)。利用該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高速且高可靠性的運(yùn)行。

*4) 可潤(rùn)濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)

一種在底部電極封裝的引線(xiàn)框架側(cè)面進(jìn)行電鍍加工的技術(shù)。利用該技術(shù)可提高安裝可靠性。

*5) 鷗翼型結(jié)構(gòu)

引腳從封裝兩側(cè)向外伸出的封裝形狀。散熱性?xún)?yōu)異,可提高安裝可靠性。

審核編輯 黃宇

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