英偉達2025年計劃發(fā)布Blackwell Ultra與B200A,或大幅提升HBM消耗量

根據TrendForce最新發(fā)布的HBM市場研究報告，隨著人工智能（AI）芯片技術的持續(xù)迭代升級，單顆芯片所集成的HBM（高帶寬內存）容量正顯著增長。英偉達作為HBM市場的領軍者，預計在推出Blackwell Ultra和B200A等新一代產品后，其在該市場的采購份額將于2025年突破70%大關。

以英偉達的Hopper系列芯片為例，其發(fā)展歷程清晰地展現了這一趨勢：從第一代H100芯片的80GB HBM容量，到預計于2024年發(fā)布的H200芯片，其HBM容量已躍升至144GB，彰顯了AI芯片與單芯片HBM容量之間的協同發(fā)展對整體市場需求的巨大拉動作用。TrendForce預測，這一增長趨勢將推動2024年HBM市場的年增長率超過200%，并在2025年實現再翻倍。

值得注意的是，英偉達針對不同市場需求，規(guī)劃了多樣化的產品策略。其中，面向OEM客戶的降規(guī)版B200A芯片將采用4顆12層HBM3e，相較于其他B系列芯片搭載的HBM數量有所減少。然而，TrendForce強調，這種產品策略的多元化不僅不會削弱HBM市場的整體消耗量，反而有望激發(fā)更多中小客戶的采購興趣，進一步促進市場的繁榮。

在供應鏈層面，SK海力士和美國廠商預計將于2024年第二季度開始量產HBM3e產品。而英偉達H200芯片的出貨預期將大幅提升該公司在HBM3e市場的消耗比重，預計全年占比將超過60%。進入2025年，隨著Blackwell平臺全面采用HBM3e、產品層數增加以及單芯片HBM容量的進一步提升，英偉達對HBM3e市場的整體消耗量預計將攀升至85%以上。

特別值得關注的是，12層HBM3e將成為2024年下半年市場的焦點。TrendForce預計，隨著Blackwell Ultra等高端產品的推出，以及GB200和B200A等產品的潛在升級，12層HBM3e在整體HBM3e市場中的比重將在2025年提升至40%，且存在進一步上調的可能性。然而，隨著技術難度的提升，驗證進度的快慢將直接影響訂單的分配比例。目前，三星在驗證進度上領先于其他競爭對手，正積極尋求擴大其在HBM市場的份額。

總體來看，盡管當前市場仍以8層HBM3e為主流，但12層HBM3e的增長潛力將在未來幾年內逐漸釋放，為HBM市場帶來新的發(fā)展機遇。