imec實現(xiàn)硅基量子點創(chuàng)紀錄低電荷噪聲

比利時微電子研究中心（imec）近期在量子計算領域取得了重大突破，成功在12英寸CMOS平臺上制造出了具有創(chuàng)紀錄低電荷噪聲的Si MOS量子點。這一里程碑式的成就不僅展示了imec在量子技術(shù)前沿的領先地位，更為大規(guī)模硅基量子計算機的實現(xiàn)奠定了堅實基礎。

據(jù)悉，imec的研究團隊所開發(fā)的量子點自旋量子比特處理設備，在1Hz頻率下展現(xiàn)出了令人矚目的低電荷噪聲性能，其平均值僅為0.6μeV/√ Hz，這一數(shù)值在同類300毫米晶圓廠兼容平臺上達到了前所未有的低水平。如此卓越的噪聲抑制能力，對于確保量子比特的長期相干性和實現(xiàn)高精度的量子操作至關(guān)重要，是推動量子計算邁向?qū)嵱没年P(guān)鍵一步。

更為重要的是，imec團隊在300毫米Si MOS量子點工藝上能夠反復且可重復地實現(xiàn)這一低噪聲水平，這標志著硅基量子點技術(shù)在工業(yè)化生產(chǎn)方面的巨大潛力。硅基量子點作為量子計算的重要候選材料之一，其良好的可擴展性和與現(xiàn)有半導體工藝的兼容性，使得基于該技術(shù)的量子計算機在未來有望實現(xiàn)大規(guī)模集成和低成本制造。

imec的這一突破性工作不僅為量子計算領域帶來了新的希望，也為全球科研人員探索量子技術(shù)的無限可能提供了寶貴的經(jīng)驗和啟示。隨著量子計算技術(shù)的不斷發(fā)展和完善，我們有理由相信，一個基于硅基量子點的大規(guī)模、高性能的量子計算機時代即將到來。