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納微半導體發(fā)布全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源方案

納微芯球 ? 來源:納微芯球 ? 2024-07-26 14:15 ? 次閱讀

納微氮化鎵和碳化硅混合設計電源能在最小尺寸下,為每個搭載AI GPU的機柜提升3倍功率

加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日發(fā)布全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源方案,該方案圍繞納微旗下GaNSafe高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC第三代快速碳化硅功率器件打造,以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率冠絕全球。

下一代AI GPU如英偉達Blackwell B100和B200,在進行高功率計算時均需要超過1kW的功率支持,是傳統(tǒng)CPU的3倍。在高漲的功率需求下,每個數(shù)據(jù)中心機柜的功率規(guī)格將從30-40kW推高至100kW。

2024年3月,納微半導體發(fā)布了其AI數(shù)據(jù)中心電源技術路線圖,展示了其針對AI和高性能計算(HPC)系統(tǒng)日益增長的功率需求打造的下一代數(shù)據(jù)中心電源解決方案。首個設計方案是一款基于GaNSafe氮化鎵功率芯片設計的CRPS185 3.2kW AC-DC轉換器,其基于超大規(guī)模的開放計算項目(OCP)定義的通用冗余電源(CRPS)外形尺寸打造而來。與相同功率等級的傳統(tǒng)硅基方案相比,CRPS185 3.2kW方案(其長度為185毫米)體積減少了40%,并且效率在20%~60%負載下均超96%(鈦金+),輕松超過了對數(shù)據(jù)中心運營模式至關重要且歐盟法規(guī)強制要求執(zhí)行的“鈦金”效率基準。

全新的CRPS185 4.5kW電源方案展示了新型GaNSafe氮化鎵功率芯片和GeneSiC第三代快速碳化硅MOSFETs如何打造世界上功率密度和效率最高的電源解決方案。該方案的核心在于碳化硅技術和氮化鎵技術的混合設計,其中碳化硅技術部署在交錯CCM圖騰柱PFC上,與搭載了氮化鎵技術的的全橋LLC拓撲結構相結合?;旌显O計充分利用了每種半導體技術的獨特優(yōu)勢,可實現(xiàn)最高的頻率、最低的運行溫度、更好的可靠性和魯棒性,進而達到最高的功率密度和效率。納微的650V第三代快速碳化硅MOSFETs采用了“溝槽輔助平面柵”技術,使其能夠在不同溫度下為實際應用帶來最高系統(tǒng)效率和可靠性。

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運用在LLC拓撲中的650V 納微GaNSafe氮化鎵功率芯片,憑借高度集成的功率、保護、控制和驅動功能,以及易于使用、堅固耐用、散熱性能出色的TOLL封裝,成為了大功率應用獨特的理想之選。此外,GaNSafe氮化鎵功率芯片擁有極低的開關損耗和高達800V的瞬態(tài)電壓性能,以及低門極電荷(Qg)、低輸出電容(COSS)和無反向恢復損耗(Qrr)等高速開關優(yōu)勢。高速的開關能力降低了電源中被動元件(如變壓器、電容器和EMI濾波器)的尺寸、重量和成本。而功率密度的增加,意味著下一代氮化鎵和碳化硅技術通過系統(tǒng)效率提升和‘去物質化’角度實現(xiàn)碳減排,有效助力可持續(xù)發(fā)展。

目前,納微的3.2kW和4.5kW電源方案已經(jīng)引起了市場的高度關注,已有超過30個數(shù)據(jù)中心客戶項目正在研發(fā)中,預計將在2024年到2025年間為納微氮化鎵和碳化硅的營收帶來數(shù)百萬美元的增長。

憑著GaNSafe和GeneSiC技術的領先優(yōu)勢,納微的AI數(shù)據(jù)中心服務器電源方案極大地加快了客戶研發(fā)進程,加速產(chǎn)品推向市場的時間,并在能效、功率密度和系統(tǒng)成本方面樹立了新的行業(yè)標準。納微可向客戶提供完整的設計資料,包括經(jīng)過充分測試的硬件、原理圖、物料清單、布局、仿真和硬件測試結果。

納微半導體

首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人

Gene Sheridan

“飛速發(fā)展的AI正顯著提升數(shù)據(jù)中心、處理器以及未來幾十年內(nèi)AI相關領域的功率需求,這給功率半導體行業(yè)帶來了重大挑戰(zhàn)。值得一提的是,納微半導體的系統(tǒng)設計中心已準備好迎接這項挑戰(zhàn),我們在不到18個月內(nèi)成功將電源功率翻了三番。

納微將最新的GaNSafe技術與第三代快速碳化硅技術相結合,打造了世界上前所未有的最高功率密度和效率的電源,為Blackwell及更多AI處理器提供了完美的電源解決方案。”

欲了解更多納微AI數(shù)據(jù)中心服務器電源解決方案,以及GaNSafe氮化鎵功率器件和第三代快速碳化硅MOSFETs的詳細信息,請訪問納微官方網(wǎng)站。

關于納微半導體

納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS)是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司,于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起,為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過250項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。截止至2023年8月,氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過1.25億顆,碳化硅功率器件發(fā)貨超1200萬顆。納微半導體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾,也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長的功率需求

文章出處:【微信號:納微芯球,微信公眾號:納微芯球】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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