周星工程研發(fā)ALD新技術(shù)，引領(lǐng)半導(dǎo)體工藝革新

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，韓國半導(dǎo)體廠商周星工程（Jusung Engineering）憑借其最新研發(fā)的原子層沉積（ALD）技術(shù)，再次在全球半導(dǎo)體行業(yè)中引起了廣泛關(guān)注。據(jù)韓媒報(bào)道，這項(xiàng)技術(shù)能夠在生產(chǎn)先進(jìn)工藝芯片時顯著降低極紫外光刻（EUV）工藝步驟的需求，為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域帶來了革命性的突破。

周星工程董事長Chul Joo Hwang在談及這項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新時表示，當(dāng)前DRAM和邏輯芯片的擴(kuò)展已經(jīng)逼近物理極限，傳統(tǒng)微縮技術(shù)的潛力逐漸耗盡。面對這一挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體行業(yè)迫切需要尋找新的解決方案，以延續(xù)摩爾定律的輝煌。在此背景下，堆疊晶體管技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為突破尺寸限制的重要途徑。正如NAND Flash通過垂直堆疊實(shí)現(xiàn)了存儲密度的飛躍，DRAM和邏輯芯片也將借鑒這一思路，通過堆疊晶體管來克服擴(kuò)展難題。

ALD技術(shù)的引入，正是這一轉(zhuǎn)型過程中的關(guān)鍵一步。與傳統(tǒng)的沉積技術(shù)相比，ALD具有出色的保形涂層能力和高度的厚度控制精度，即使在復(fù)雜的3D結(jié)構(gòu)表面也能實(shí)現(xiàn)均勻且高質(zhì)量的薄膜沉積。這一特性使得ALD在制造全柵（GAA）晶體管等先進(jìn)半導(dǎo)體器件時顯得尤為重要。通過堆疊晶體管，半導(dǎo)體廠商可以在不增加芯片面積的前提下，大幅提升存儲密度和性能，從而滿足市場對于更小、更快、更高效的芯片需求。

Chul Joo Hwang進(jìn)一步指出，隨著堆疊晶體管技術(shù)的普及，ALD機(jī)器的需求也將迎來爆發(fā)式增長。除了DRAM和邏輯芯片外，III-V和IGZO（氧化銦鎵鋅）等新型半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)同樣需要ALD設(shè)備的支持。這些材料在高頻、高速、低功耗等領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢，是未來半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的重要方向。因此，ALD技術(shù)的廣泛應(yīng)用不僅有助于解決當(dāng)前半導(dǎo)體制造的瓶頸問題，還將為整個行業(yè)帶來更加廣闊的發(fā)展前景。

綜上所述，周星工程研發(fā)的ALD技術(shù)無疑為半導(dǎo)體行業(yè)注入了一股新的活力。通過降低EUV工藝步驟需求、推動堆疊晶體管技術(shù)的發(fā)展，這項(xiàng)技術(shù)正引領(lǐng)著半導(dǎo)體制造工藝向更加高效、更加精細(xì)的方向邁進(jìn)。隨著技術(shù)的不斷成熟和普及，我們有理由相信，未來的半導(dǎo)體產(chǎn)品將更加小巧、更加強(qiáng)大，為人類社會的科技進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)發(fā)展貢獻(xiàn)更大的力量。