? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
發(fā)表于 06-14 09:42
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引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
發(fā)表于 05-29 09:38
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光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
發(fā)表于 04-29 13:59
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光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料,在整個電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中,感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能,增感劑有助于提高
發(fā)表于 12-19 13:57
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光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
發(fā)表于 11-11 17:06
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光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng),光刻膠的需求也水漲船高,在微電子制造和納米技
發(fā)表于 11-11 10:08
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發(fā)表于 11-01 11:08
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本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
發(fā)表于 10-31 15:59
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在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘膠臺或者烤膠設(shè)備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡要介紹SU-8
發(fā)表于 08-27 15:54
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為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性,必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中,是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求,有許多工藝可用于涂覆
發(fā)表于 07-11 15:46
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根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝,我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián),稱為硬烘烤或者堅膜?;蛲ㄟ^低劑量紫外線輻照
發(fā)表于 07-10 13:46
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評價一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高,所
發(fā)表于 07-10 13:43
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后烘是指(post exposure bake-PEB)是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影,也就是說還未閉合,PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進(jìn)行。前面的文章中我們在
發(fā)表于 07-09 16:08
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圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言,負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負(fù)
發(fā)表于 07-09 16:06
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我們在使用光刻膠的時候往往關(guān)注的重點是光刻膠的性能,但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實這個問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且,在
發(fā)表于 07-08 14:57
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