近日，無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
這款新型ICeGaN GaN功率IC采用了創(chuàng)新的芯片和封裝設計，具備超低導通電阻（RDS(on)）的特點。其中，ICeGaN P2系列IC的RDS(on)更是低至25 mΩ，足以支持多kW功率應用，并在使用過程中展現(xiàn)出超高的效率。
這款GaN功率IC的推出，為數(shù)據(jù)中心、逆變器、電機驅(qū)動器和其他工業(yè)電源等高功率應用帶來了顯著的性能提升。其高效能不僅有助于減少能源消耗，還能有效減少熱量產(chǎn)生，進一步提高了設備的可靠性和使用壽命。
作為一家無晶圓廠公司，CGD專注于氮化鎵技術的研發(fā)和應用，致力于通過創(chuàng)新技術推動電子產(chǎn)業(yè)的綠色發(fā)展。此次推出的高效環(huán)保GaN功率器件，正是CGD在環(huán)保科技領域取得的又一重要成果。
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