光伏儲(chǔ)能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案可使用BTD25350

現(xiàn)代尖端電力電子設(shè)備性能升級(jí)需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開(kāi)關(guān)頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足要求，需要高性能與性?xún)r(jià)比兼具的主開(kāi)關(guān)器件。為此，混合碳化硅分立器件將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性?xún)r(jià)比的完美方案。

BTD25350雙通道隔離，原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，非常適合光伏儲(chǔ)能BUCK-BOOST中。BTD25350系列雙通道隔離型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，峰值輸出電流可達(dá)10A（典型值），采用SOW-18（寬體）封裝， 高達(dá)5000Vrms的隔離電壓，適用于于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。

功能框圖

SiC MOSFET BTD25350使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實(shí)現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換，高壓側(cè)接入PV直流側(cè)，低壓側(cè)接電池組。LLC諧振變換器能實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)通相比其他開(kāi)關(guān)電源，其輸入輸出電壓調(diào)節(jié)范圍較寬，且具有高效率，低噪聲，高功率密度等諸多優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)Si基功率器件相比，該BTD25350具有更加優(yōu)良的特性，更加適用于高頻高壓大功率場(chǎng)合。

雙通道隔離驅(qū)動(dòng)BTD25350產(chǎn)品特點(diǎn)介紹：

?隔離電壓高達(dá)5000VRMS（SOW-18）@UL1577

?峰值輸出電流典型值高達(dá)10A

?傳輸延時(shí)低至60ns

?瞬態(tài)共?？箶_度（CMTI）典型值為150kV/us

?最高支持開(kāi)關(guān)頻率1MHz

?原邊電源支持3~20V

?副邊電源最高支持33V

?原邊副邊電源分別支持欠壓保護(hù)

?輸入電平兼容3.3V、5V、15V電平

?SOW-18（寬體）封裝，爬電距離8.5mm

?工作環(huán)境溫度：-40~125℃

注：如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系刪除。