0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何精確表征柔性電子的電學(xué)性能?

武漢普賽斯儀表有限公司 ? 2024-06-06 10:22 ? 次閱讀

近年來(lái),由于導(dǎo)電高分子材料研究的突破,有機(jī)材料從傳統(tǒng)的絕緣體變成可導(dǎo)電的半導(dǎo)體,柔性電子應(yīng)運(yùn)而生。柔性電子是將有機(jī)或無(wú)機(jī)材料制作在柔性可拉伸基板上的新電子制備技術(shù),可使材料在彎曲、折疊、扭轉(zhuǎn)、拉伸等連續(xù)機(jī)械變形下仍然保持較高的電學(xué)特性,整合了光、電、感測(cè)等功能。

柔性薄膜材料電性能表征

柔性電子作為一個(gè)新興快速發(fā)展的行業(yè),開(kāi)發(fā)高性能、高穩(wěn)定性的柔性材料和器件是當(dāng)前的重點(diǎn)。隨著二維納米材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),微米級(jí)柔性電子成為研究的重要趨勢(shì)之一,許多制備、測(cè)試、分析過(guò)程中的難題在柔性電子研究領(lǐng)域也變得越來(lái)越突出,其中最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)就是精確測(cè)量這些小型化材料、器件的電學(xué)性能。

柔性薄膜材料的厚度尺寸一般小于1μm,在集成電路、太陽(yáng)能電池、生物傳感器等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。表面電阻率是評(píng)估柔性薄膜材料電學(xué)性能的重要手段之一,有助于了解材料的物理、化學(xué)性質(zhì),從而優(yōu)化制備工藝和提高產(chǎn)品質(zhì)量。

柔性薄膜材料表面電阻率測(cè)試通常采用四探針測(cè)量法,通過(guò)在材料上放置兩對(duì)等間距電極(內(nèi)電極和外電極),外電極注入電流,電流流經(jīng)材料在內(nèi)電極上會(huì)產(chǎn)生一定的電壓差,通過(guò)測(cè)量電壓差和流經(jīng)材料的電流,可以計(jì)算出材料的電阻率。

wKgaomZhG8WAC2QdAAC2CQWeKno715.png

wKgaomZhG-GAQNEEAAMe7CQgy_4935.png

圖:四探針?lè)y(cè)試柔性薄膜材料表面電阻率系統(tǒng)架構(gòu)

此外,柔性電子材料在使用過(guò)程中會(huì)被反復(fù)彎折扭曲,在此過(guò)程中材料表面和內(nèi)部的應(yīng)力狀態(tài)和微觀結(jié)構(gòu)都會(huì)逐漸發(fā)生變化,進(jìn)而影響材料的電學(xué)性能和壽命,如何精確測(cè)試材料和器件的動(dòng)態(tài)響應(yīng)變得困難。

柔性電子材料動(dòng)態(tài)測(cè)試

傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)測(cè)試方案,需要搭配一臺(tái)電壓源、電流表進(jìn)行人工測(cè)量,再手動(dòng)算出阻值的變化,無(wú)法測(cè)試器件的動(dòng)態(tài)連續(xù)變化過(guò)程,而且對(duì)于測(cè)量精度要求較高及與折疊裝置同步要求精度高的場(chǎng)景無(wú)法保證。

基于普賽斯高精度數(shù)字源表,搭配力學(xué)測(cè)試機(jī)臺(tái),可以組合不同動(dòng)作的測(cè)試夾具,模擬出拉、扭、彎、折、卷等5種基本動(dòng)作,11個(gè)基礎(chǔ)模擬測(cè)試動(dòng)作,并實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)材料的V-t、I-t以及R-t的變化曲線,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用,提升測(cè)試效率。

wKgaomZhHAyAa718AACfi1SZHgQ663.png

圖:柔性電子材料動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)

wKgZomZhHCaAKkFFAAI4dqXk4jQ560.png

圖:普賽斯高精度數(shù)字源表選型

wKgaomZhHD6ARUQXAAIXWs2WElo258.png

圖:柔性電子材料動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)夾具

柔性電子材料典型應(yīng)用及電性能測(cè)試方案

目前,柔性電子材料開(kāi)創(chuàng)了全新的應(yīng)用場(chǎng)景,在可穿戴設(shè)備、電子皮膚、柔性顯示、柔性傳感和人工智能等前沿領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛。與硅類(lèi)材料相比,兼具了單位面積成本低的優(yōu)點(diǎn)。相關(guān)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),2019年全球柔性電子市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到14.2億美元,預(yù)計(jì)到2025年將達(dá)到3049.4億美元,2019~2025年CAGR(復(fù)合年增長(zhǎng)率)為144.71%。但是因?yàn)槿嵝噪娮硬牧蠎?yīng)用和開(kāi)發(fā)的歷史并不長(zhǎng),其中很多關(guān)鍵材料、關(guān)鍵裝備、核心技術(shù)仍需要改善和開(kāi)發(fā),特別是在高、精、尖裝備方面基礎(chǔ)薄弱,嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口,被制約風(fēng)險(xiǎn)較高。因此,采用可靠的技術(shù)手段和測(cè)試設(shè)備精確表征柔性電子材料的電學(xué)性能,將有效推動(dòng)柔性電子材料的研究。

01、柔性QLED電性能表征

QLED是一種基于量子點(diǎn)電致發(fā)光原理的主動(dòng)發(fā)光顯示技術(shù),具有超薄、高色域、可柔性、高對(duì)比度等特點(diǎn),在可穿戴設(shè)備及人工智能領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。QLED的性能好壞主要關(guān)注發(fā)光性能(發(fā)射光譜、發(fā)光亮度、發(fā)光效率、發(fā)光色度和壽命)以及電性能(電流與電壓的關(guān)系、發(fā)光亮度與電壓的關(guān)系等)。其中,電流-電壓-亮度(IVL)指標(biāo)是QLED器件的重要參數(shù),通過(guò)普賽斯S系列直流源表或P系列脈沖源表,以及亮度計(jì),即可實(shí)現(xiàn)QLED器件的IVL曲線、EQE等光電參數(shù)的測(cè)試。

wKgaomZhHHCAINWrAAHmi_O6fhw738.png

圖:柔性QLED電性能表征系統(tǒng)架構(gòu)

02、導(dǎo)電水凝膠電性能表征

導(dǎo)電水凝膠將親水性基質(zhì)和導(dǎo)電介質(zhì)有機(jī)結(jié)合起來(lái),是一類(lèi)兼具良好的可加工性、較高柔韌性和優(yōu)異電化學(xué)性能的新型復(fù)合水凝膠,是未來(lái)柔性電子器件的理想材料。水凝膠的電性能可通過(guò)電導(dǎo)率以及應(yīng)變響應(yīng)特性進(jìn)行表征。電導(dǎo)率測(cè)試常用上文所述的四探針?lè)ㄟM(jìn)行測(cè)試,優(yōu)勢(shì)在于分離電流和電壓電極,消除布線及探針接觸電阻的阻抗影響。應(yīng)變響應(yīng)特性測(cè)試采用普賽斯S或P系列源表以及拉伸測(cè)試機(jī)臺(tái)實(shí)現(xiàn)。

對(duì)于離子型導(dǎo)電水凝膠,直流模式下,導(dǎo)電離子會(huì)在水凝膠與電極界面處聚集,引起信號(hào)突變及基線漂移等問(wèn)題。普賽斯P系列脈沖源表可提供最窄200μs脈沖測(cè)試電壓或電流,消除因直流電場(chǎng)引起的離子聚集的影響。

wKgZomZhHJeAN5WEAAI7SRWJadg163.png

圖:導(dǎo)電水凝膠應(yīng)變性能測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)

03、場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器電性能表征

場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器又稱(chēng)生物場(chǎng)效應(yīng)晶體管傳感器(BioFET),是基于MOSFET的結(jié)構(gòu)和原理,用生物參數(shù)離子敏感膜、電解質(zhì)溶液和參考電極代替 MOSFET 結(jié)構(gòu)中的金屬柵極而制成的傳感器,具有高靈敏度、響應(yīng)速度快、不受樣品污染等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用在生命科學(xué)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品檢測(cè)、臨床診斷等領(lǐng)域。

對(duì)BioFET傳感器進(jìn)行測(cè)試,既能驗(yàn)證傳感器的性能,更是快速檢測(cè)被測(cè)物生物學(xué)參數(shù)的重要手段。BioFET傳感器可將生物學(xué)參數(shù)轉(zhuǎn)換為可以直接測(cè)量的電信號(hào)(IV),因此I-V測(cè)試是表征BioFET傳感器性能的重要手段。I-V測(cè)試包括轉(zhuǎn)移特性測(cè)試(Ids-Vgs),輸出特性測(cè)試(Ids-Vds)以及漏源電流隨時(shí)間變化的Id-t測(cè)試。

推薦使用普賽斯SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀來(lái)進(jìn)行BioFET傳感器I-V測(cè)試,SPA6100基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要,靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí)。產(chǎn)品支持最高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測(cè)量,同時(shí)檢測(cè)10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量。

wKgZomZhHLiAH0ltAAJQEi9fQzc073.png

圖:場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)

wKgaomZhHNGAEH66AADGYbbK4I8596.png

圖:SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

結(jié)語(yǔ)

作為新興產(chǎn)業(yè),柔性電子涉及新材料、新工藝及新設(shè)備等多個(gè)板塊。普賽斯立足于解決行業(yè)痛點(diǎn),協(xié)同合作商共同打造全方位的柔性電子動(dòng)靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),并與多所高校密切合作,加速推動(dòng)研究成果產(chǎn)業(yè)化。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    537

    瀏覽量

    29568
  • 數(shù)字源表
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    209

    瀏覽量

    16144
  • 柔性材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    15

    瀏覽量

    6856
  • 源表
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    106

    瀏覽量

    4639
  • 薄膜材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    30

    瀏覽量

    4174
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    如何來(lái)精確表征一個(gè)分流器

    如何來(lái)精確表征一個(gè)分流器呢?一種方法是將其與預(yù)先表征過(guò)的分流器串聯(lián),使用程控電源為該串聯(lián)電路施加電流。使用串聯(lián)電路中已知特性的分流器來(lái)測(cè)量電流,再測(cè)量需要表征的分流器上的電壓,便可計(jì)算
    發(fā)表于 02-05 15:22 ?4139次閱讀
    如何來(lái)<b class='flag-5'>精確</b><b class='flag-5'>表征</b>一個(gè)分流器

    超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET電學(xué)表征

    電學(xué)性質(zhì)的手段,并對(duì)三種不同頂層硅厚度的SIMOX材料進(jìn)行測(cè)試、提取參數(shù),分析材料制備工藝對(duì)性能產(chǎn)生的影響。研究結(jié)果表明,標(biāo)準(zhǔn)SIMOX材料通過(guò)頂層硅膜氧化、腐蝕等減薄工藝制得的頂層硅厚度小于
    發(fā)表于 04-24 09:02

    電學(xué)院舉辦電子設(shè)計(jì)作品展覽

    12月31日,信電學(xué)院三研社與信電10級(jí)第二party支部在松三大廳聯(lián)合舉辦電子設(shè)計(jì)作品展覽。此次展覽以生動(dòng)有趣的形式向信電學(xué)院的新生們普及了電子設(shè)計(jì)的相關(guān)知識(shí)。信
    發(fā)表于 01-06 10:33

    電子電學(xué)計(jì)算軟件

    本帖最后由 太子的空間 于 2016-11-29 20:39 編輯 電子電學(xué)計(jì)算軟件,有電阻,電容,電感,電壓,電流,頻率計(jì)算
    發(fā)表于 11-16 21:05

    柔性微流控電子技術(shù)的應(yīng)用介紹

    其中澆注高導(dǎo)電率的液體合金,則可以制作類(lèi)似于傳統(tǒng)電子設(shè)備中的固態(tài)金屬線的連接,但這種連接在拉伸、彎曲、扭轉(zhuǎn)狀態(tài)下仍能保持良好的電學(xué)性能。 柔性微流控傳感器實(shí)現(xiàn)輻射危害實(shí)時(shí)監(jiān)控 如今,我
    發(fā)表于 11-25 10:05

    柔性可穿戴電子器件取得進(jìn)展

    當(dāng)前人工智能快速發(fā)展,各種類(lèi)人功能智能機(jī)器人層出不窮,觸覺(jué)感知是人類(lèi)和未來(lái)智能機(jī)器探索物理世界的基礎(chǔ)性功能之一,發(fā)展具有觸覺(jué)功能的仿生電子皮膚柔性感知器件,并實(shí)現(xiàn)器件與柔軟組織間的機(jī)械匹配性具有重要
    發(fā)表于 09-21 11:53

    柔性與印刷電子

    湖南納昇印刷電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“納昇電子”)是中南大學(xué)在印刷電子、柔性電子領(lǐng)域研究的成果轉(zhuǎn)化平臺(tái),主營(yíng)業(yè)務(wù)包括
    發(fā)表于 10-13 10:29

    為了柔性電子將成為可穿戴設(shè)備傳感器的核心

    柔性電子器件因其可在彎折、扭曲、折疊、拉伸等情況下仍能保持穩(wěn)定的電學(xué)性能而成為當(dāng)下科學(xué)研究的熱點(diǎn)之一
    發(fā)表于 07-22 14:57 ?3018次閱讀

    ESD鉗位性能表征

    ESD鉗位性能表征
    發(fā)表于 11-14 21:08 ?1次下載
    ESD鉗位<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>表征</b>

    虹科案例|CIEMAT利用太赫茲技術(shù)以無(wú)損表征光伏器件的電學(xué)特性

    西班牙能源研究重心利用太赫茲技術(shù)無(wú)損表征光伏器件的電學(xué)參數(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)光伏器件的科學(xué)研究與質(zhì)量控制。
    的頭像 發(fā)表于 03-01 10:17 ?767次閱讀
    虹科案例|CIEMAT利用太赫茲技術(shù)以無(wú)損<b class='flag-5'>表征</b>光伏器件的<b class='flag-5'>電學(xué)</b>特性

    8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 02-22 09:21 ?802次閱讀
    8.2.1 MOS靜<b class='flag-5'>電學(xué)</b>回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、<b class='flag-5'>表征</b>、器件和應(yīng)用》

    8.2.2 分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    8.2.2分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.2.1MOS靜電學(xué)
    的頭像 發(fā)表于 02-23 09:23 ?866次閱讀
    8.2.2 分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜<b class='flag-5'>電學(xué)</b>∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、<b class='flag-5'>表征</b>、器件和應(yīng)用》

    虹科案例|CIEMAT利用太赫茲Onyx系統(tǒng)以無(wú)損表征光伏器件的電學(xué)特性

    01挑戰(zhàn):現(xiàn)有電學(xué)表征技術(shù)的“鴻溝”目前,應(yīng)用于材料的電學(xué)參數(shù)表征方法可以分為兩大類(lèi):一類(lèi)為宏觀尺度技術(shù),比如四點(diǎn)探針?lè)ɑ蚍兜卤し?,光學(xué)測(cè)量等,允許快速檢測(cè),但只能提供直流電導(dǎo)率等單一
    的頭像 發(fā)表于 06-09 09:53 ?598次閱讀
    虹科案例|CIEMAT利用太赫茲Onyx系統(tǒng)以無(wú)損<b class='flag-5'>表征</b>光伏器件的<b class='flag-5'>電學(xué)</b>特性

    濺射薄膜性能表征與優(yōu)化

    在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中,薄膜技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。而磁控濺射鍍膜作為一種常用的薄膜制備方法,其工藝的成功與否關(guān)鍵在于對(duì)薄膜性能的準(zhǔn)確表征。 一、薄膜的物理性能表征 薄膜的物理
    的頭像 發(fā)表于 11-22 10:35 ?193次閱讀