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MOS管的幾種失效模式

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-30 16:33 ? 次閱讀

MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的元器件之一。由于其獨(dú)特的導(dǎo)電性能和廣泛的應(yīng)用場景,MOS管在電源、電力電子電機(jī)控制等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。然而,隨著使用時(shí)間的增長和工作環(huán)境的變化,MOS管也可能會(huì)出現(xiàn)各種失效模式。本文將詳細(xì)介紹MOS管的幾種主要失效模式,并通過參考數(shù)據(jù)和信息,進(jìn)行詳細(xì)的解釋和歸納。

一、雪崩失效(電壓失效)

雪崩失效是MOS管中最為常見的一種失效模式。當(dāng)MOS管漏極-源極間外加的電壓超出器件的額定VDSS(漏源擊穿電壓)時(shí),且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS(根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后,就會(huì)發(fā)生破壞的現(xiàn)象。這種失效模式在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)時(shí)尤為常見。

雪崩失效的主要原因在于電壓過載。為了預(yù)防雪崩失效,可以采取以下措施:

合理降額使用:根據(jù)設(shè)備的實(shí)際情況和電路關(guān)注點(diǎn),選取合適的降額范圍,一般在80%-95%之間。

控制變壓器反射電壓:通過優(yōu)化電路設(shè)計(jì),減少變壓器反射電壓對(duì)MOS管的影響。

優(yōu)化RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì):采用合理的RCD及TVS吸收電路,吸收電路中產(chǎn)生的多余能量,降低MOS管承受的壓力。

二、SOA失效(電流失效)

SOA失效,即超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效。這種失效模式通常由于異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上,導(dǎo)致瞬時(shí)局部發(fā)熱而破壞。此外,當(dāng)芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡時(shí),熱積累也可能導(dǎo)致SOA失效。

SOA失效的預(yù)防措施包括:

確保MOSFET在所有功率限制條件內(nèi)工作:通過合理設(shè)計(jì)電路,確保MOSFET在工作時(shí)不會(huì)超過其最大額定電流及脈沖電流。

精確細(xì)致的OCP(過流保護(hù))功能設(shè)計(jì):通過精確設(shè)計(jì)OCP功能,確保在異常情況下能夠及時(shí)切斷電流,保護(hù)MOSFET不受損害。

合理的熱設(shè)計(jì)余量:為MOSFET提供足夠的散熱空間,確保其能夠及時(shí)散發(fā)熱量,避免熱積累。

三、體二極管失效

體二極管失效主要發(fā)生在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。由于體二極管遭受破壞,導(dǎo)致整個(gè)電路無法正常工作。體二極管失效的原因可能包括電流過載、電壓過載或溫度過高等。

為了預(yù)防體二極管失效,可以采取以下措施:

優(yōu)化電路設(shè)計(jì):通過優(yōu)化電路設(shè)計(jì),減少體二極管承受的壓力,提高其工作穩(wěn)定性。

選擇合適的MOS管型號(hào):根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求,選擇合適的MOS管型號(hào),確保其能夠承受電路中的電流和電壓。

四、諧振失效

諧振失效主要發(fā)生在并聯(lián)使用MOS管時(shí),由于柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩而引起的失效。這種失效模式可能導(dǎo)致柵極電壓異常升高,從而破壞MOS管。

為了預(yù)防諧振失效,可以采取以下措施:

在并聯(lián)使用時(shí)插入柵極電阻:通過插入柵極電阻,降低柵極電壓的震蕩幅度,避免諧振失效的發(fā)生。

優(yōu)化電路設(shè)計(jì):通過優(yōu)化電路設(shè)計(jì),減少電路中的寄生參數(shù),降低諧振的可能性。

五、靜電失效

靜電失效主要發(fā)生在秋冬季節(jié),由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。靜電可能損壞MOS管的柵極柵氧層,導(dǎo)致器件無法正常工作。

為了預(yù)防靜電失效,可以采取以下措施:

使用防靜電設(shè)備:在制造、測試和使用過程中,使用防靜電設(shè)備,如防靜電手環(huán)、防靜電墊等。

控制環(huán)境濕度:保持環(huán)境濕度在合適的范圍內(nèi),降低靜電的產(chǎn)生和積累。

綜上所述,MOS管的失效模式多種多樣,但通過合理的預(yù)防措施和正確的使用方法,可以大大降低失效的概率,確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。

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