5月30日，據(jù)臺灣媒體《工商時報》與《經(jīng)濟日報》報道，南亞科技在昨日召開的年度股東大會上透露，公司首款1C nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品——16Gb DDR5顆粒將在明年初開始試生產(chǎn)。
據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量，預計明年產(chǎn)量將會進一步增加。
除此之外，南亞科技還在1B nm節(jié)點規(guī)劃了包括16Gb DDR5迭代版、16Gb LPDDR5內(nèi)存、16Gb LPDDR4內(nèi)存及4Gb DDR3內(nèi)存在內(nèi)的多種產(chǎn)品。
值得注意的是，南亞科技今年將同步研發(fā)TSV技術，旨在結(jié)合DDR5內(nèi)存顆粒與該技術，打造出高容量的（3DS）DRAM內(nèi)存模組以滿足服務器市場需求。
南亞科技表示，公司在每一個制程世代均能實現(xiàn)30%的位元提升速度，目前正在與比利時imec微電子研究中心合作，為采用EUV光刻機的先進DRAM制程做好準備。
此外，南亞科技4月份實現(xiàn)了32.06億新臺幣（約合7.18億元人民幣）的合并營收，同比大幅增長41.88%。
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