功率器件晶圓市場(chǎng)的最新趨勢(shì)和技術(shù)趨勢(shì)

近日，日本市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)發(fā)布的報(bào)告《功率器件晶圓市場(chǎng)的最新趨勢(shì)與技術(shù)趨勢(shì)》，深度分析了功率半導(dǎo)體晶圓市場(chǎng)現(xiàn)狀及其發(fā)展前景。

報(bào)告預(yù)測(cè)，2024年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將較去年增長(zhǎng)23.4%，達(dá)到2813億日元。盡管受庫(kù)存調(diào)整影響，硅功率半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)略有下降，但得益于各大廠家產(chǎn)能提升，預(yù)計(jì)SiC裸片銷(xiāo)量將同比增長(zhǎng)達(dá)56.9%，超硅片市場(chǎng)。

展望未來(lái)，伴隨功率半導(dǎo)體需求持續(xù)上漲，預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模將逐步擴(kuò)大。尤其是汽車(chē)電動(dòng)化推動(dòng)下，SiC裸片有望成為市場(chǎng)主要驅(qū)動(dòng)力，硅片亦有望擺脫產(chǎn)量調(diào)整影響。同時(shí)，GaN晶圓直徑增大及氧化鎵晶圓量產(chǎn)等新進(jìn)展，預(yù)示著2035年市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)增至10，763億日元，為2023年的4.7倍。

盡管當(dāng)前功率半導(dǎo)體市場(chǎng)尚處起步階段，但諸如金剛石晶圓、氮化鋁晶圓、二氧化鍺晶圓等前沿技術(shù)正積極研發(fā)，其實(shí)際應(yīng)用令人期待。

報(bào)告指出，近年來(lái)，隨著功率半導(dǎo)體需求攀升，晶圓直徑不斷加大。除轉(zhuǎn)向300mm硅晶圓外，預(yù)計(jì)自2025年起，8英寸（200mm）SiC裸晶圓市場(chǎng)將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。此外，6英寸（150mm）GaN晶圓和氧化鎵晶圓也在加緊研發(fā)中，以滿(mǎn)足功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。

然而，現(xiàn)階段硅功率半導(dǎo)體主要依賴(lài)8英寸晶圓供應(yīng)，預(yù)計(jì)未來(lái)8英寸晶圓占比仍將保持在60%以上（按晶圓數(shù)量計(jì)算）。300mm晶圓日益廣泛應(yīng)用于IGBT和MOSFET，隨著汽車(chē)和電氣設(shè)備領(lǐng)域需求增長(zhǎng)，其采用率預(yù)計(jì)將繼續(xù)提高，未來(lái)除特定器件外，8英寸和300mm晶圓將分別占據(jù)主導(dǎo)地位。

另?yè)?jù)報(bào)道，目前SiC裸片以6英寸為主，預(yù)計(jì)該狀況將維持一段時(shí)間，但8英寸晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)將于2025年啟動(dòng)，部分樣品已開(kāi)始出貨，預(yù)計(jì)到2035年，8英寸晶圓將占全部SiC裸晶圓（按晶圓數(shù)量計(jì)）的13.3%。相比之下，傳統(tǒng)4英寸晶圓預(yù)計(jì)僅在中國(guó)和日本等少數(shù)地區(qū)得到應(yīng)用，未來(lái)市場(chǎng)規(guī)?；?qū)⒅饾u萎縮。