三星HBM芯片雖通過英偉達(dá)測(cè)試，仍存挑戰(zhàn)

據(jù)媒體報(bào)道，三星最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片至今仍未通過英偉達(dá)檢驗(yàn)。有三位相關(guān)知情者稱，此芯片面臨著熱能及能耗過高等難題。同時(shí)，這也直接影響到了HBM3和HBM3E兩款芯片的表現(xiàn)。

對(duì)此，三星在聲明中回應(yīng)道，HBM為定制化內(nèi)存產(chǎn)品，需依據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化流程。此外，他們正積極與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。對(duì)于具體客戶，三星并未作出評(píng)價(jià)。而英偉達(dá)則選擇保持沉默。

據(jù)悉，自去年起，三星便致力于通過英偉達(dá)的測(cè)試以證明HBM3和HBM3E的性能。兩位知情者透露，三星8層和12層HBM3E芯片的測(cè)試結(jié)果于今年4月公布，均未達(dá)到預(yù)期效果。

至于這些問題能否迅速得到解決，三位知情者表示，未能滿足英偉達(dá)的要求無疑加劇了業(yè)內(nèi)和投資者的憂慮，擔(dān)心三星將在與SK海力士和美光等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的較量中落入下風(fēng)。