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120億元,士蘭微投建8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目!

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2024-05-24 15:06 ? 次閱讀

5月21日,廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。按照協(xié)議約定,各方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目分兩期建設(shè),項(xiàng)目一期投資規(guī)模70億元,二期投資規(guī)模約50億元,兩期建設(shè)完成后,將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

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同日(5月21日),杭州士蘭微電子股份有限公司(以下簡稱“士蘭微”)發(fā)布公告稱,擬在廈門投資建設(shè)8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目。

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資料顯示,杭州士蘭微電子股份有限公司(以下簡稱“士蘭微”)于1997年成立,總部位于杭州,2003年3月在上交所主板上市(證券代碼600460),是全球前20、國內(nèi)第一的功率芯片設(shè)計(jì)與制造一體化(IDM)企業(yè)。2018年2月,士蘭微在海滄落地12英寸特色工藝芯片制造企業(yè)士蘭集科和6英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造企業(yè)士蘭明鎵,已成為國家大基金在廈門市的重點(diǎn)投資項(xiàng)目,吸引國家大基金投資9.5億元。2024年3月,士蘭微在海滄落地8英寸碳化硅芯片制造企業(yè)士蘭集宏。

根據(jù)最新公告顯示,士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司(以下簡稱“廈門半導(dǎo)體集團(tuán)”)、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司(以下簡稱“廈門新翼”)共同向子公司廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“士蘭集宏”)增資41.50億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。

其中:士蘭微認(rèn)繳10億元,廈門半導(dǎo)體集團(tuán)認(rèn)繳10億元,廈門新翼認(rèn)繳21.50億元。本次增資前,士蘭集宏由士蘭微出資6000萬元,100%持股,本次增資完成后,士蘭集宏的注冊(cè)資本將由0.60億元增加至42.10億元。增資完成后,廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)、廈門新翼科技和士蘭微三方對(duì)士蘭集宏的持股比例分別為23.753%、51.0689%和25.1781%。

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與此同時(shí),根據(jù)士蘭微與廈門市政府、廈門市海滄區(qū)政府簽署的《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》,士蘭微與廈門半導(dǎo)體集團(tuán)、廈門新翼于當(dāng)日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。

根據(jù)協(xié)議,士蘭集宏將作為該項(xiàng)目的負(fù)責(zé)主體建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目分兩期建設(shè),一期投資規(guī)模約70億元,新增8英寸SiC芯片3.5萬片/月的生產(chǎn)能力,二期投資規(guī)模約50億元,新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產(chǎn)能力。

兩期建設(shè)完成后,將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力,培育一家符合國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、開展以第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)、制造和銷售為主要業(yè)務(wù)、具有國際化經(jīng)營能力的半導(dǎo)體公司。

本次合作是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線”和士蘭明鎵“先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線”兩大重要項(xiàng)目后,士蘭微電子落地廈門的第三個(gè)重要項(xiàng)目。



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:120億元, 士蘭微投建8英寸SiC項(xiàng)目!

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