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三星HBM芯片因發(fā)熱和功耗問題影響測(cè)試,與英偉達(dá)合作暫時(shí)擱淺

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-24 14:17 ? 次閱讀

據(jù)三名知情者透露,因發(fā)熱與能耗問題,三星最新款高帶寬存儲(chǔ)(HBM)芯片尚未通過英偉達(dá)測(cè)試,這使得測(cè)試被迫中斷。這款有問題的芯片為HBM3,是當(dāng)前人工智能AI)圖形處理器GPU)中最常采用的第四代HBM標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)也涉及到三星及其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手計(jì)劃于今年推出的第五代HBM3E芯片。

這是三星首次公開承認(rèn)未能通過英偉達(dá)測(cè)試的原因。三星在聲明中表示,HBM是定制化存儲(chǔ)產(chǎn)品,需“依據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化”,并強(qiáng)調(diào)正與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。然而,對(duì)于具體客戶信息,三星并未作出回應(yīng)。英偉達(dá)同樣保持沉默。

HBM是一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,于2013年問世,通過芯片垂直堆疊以節(jié)約空間、降低能耗,適用于處理復(fù)雜AI應(yīng)用所產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)。隨著生成式AI的崛起,市場(chǎng)對(duì)復(fù)雜GPU的需求激增,HBM的需求也水漲船高。英偉達(dá)在全球AI應(yīng)用GPU市場(chǎng)占有約80%的份額。

據(jù)悉,自去年起,三星一直在全力爭(zhēng)取通過英偉達(dá)的HBM3和HBM3E測(cè)試。其中,三星8層和12層HBM3E芯片最近一次測(cè)試失敗的結(jié)果于4月份公布。相比之下,SK海力士作為英偉達(dá)的主要HBM芯片供應(yīng)商,自2022年6月起便開始供應(yīng)HBM3;而美光則表示將向英偉達(dá)提供HBM3E。

目前尚不確定三星能否順利解決上述問題,但消息人士指出,未能達(dá)到英偉達(dá)的要求已經(jīng)引發(fā)業(yè)內(nèi)和投資者的憂慮,他們擔(dān)心三星的HBM技術(shù)可能會(huì)進(jìn)一步落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士和美光。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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