浮思特自研(SiC Module)碳化硅功率模塊特性技術(shù)應(yīng)用

SiC Module，即碳化硅功率模塊，是一種利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件。與傳統(tǒng)的硅基功率模塊相比，SiC模塊具有更高的熱導(dǎo)率、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和更低的導(dǎo)通電阻，這使得它們能夠在更高的溫度、頻率和電壓下工作，同時(shí)減少能量損耗。這些特性使得SiC模塊在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域中具有顯著的優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)了電子技術(shù)的發(fā)展。

經(jīng)過不懈努力，我們研發(fā)出了MPRA1C65-S61 SiC模塊。這款模塊采用了先進(jìn)的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體技術(shù)，以其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，重新定義了功率電子的標(biāo)準(zhǔn)。它不僅擁有更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，還能夠在極端的工作條件下保持穩(wěn)定，顯著提升了系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

浮思特 MPRA1C65-S61 封裝信息：

封裝電路圖：

特征：

幾乎無開關(guān)損耗

可忽略的反向恢復(fù)

更高的開關(guān)頻率

高浪涌電流能力

提高的系統(tǒng)效率

優(yōu)勢(shì)：

開關(guān)特性幾乎與溫度無關(guān)

正的溫度系數(shù)

散熱的要求

RoHS無鹵素/符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

無論是在高溫環(huán)境下的持久運(yùn)行，還是在高頻率下的精確控制，MPRA1C65-S61 SiC模塊都能提供無與倫比的性能表現(xiàn)。浮思特的這款碳化硅模塊，將為電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵領(lǐng)域帶來革命性的變化。