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AI芯片需求猛增,CoWoS封裝供不應(yīng)求,HBM技術(shù)難度升級(jí)

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-20 14:39 ? 次閱讀

據(jù)工商業(yè)日?qǐng)?bào)報(bào)道,AI芯片需求大幅增長(zhǎng),硅中間層面積擴(kuò)大,間接影響了12寸晶圓的產(chǎn)量及CoWoS封裝供應(yīng)量,供需矛盾日益突出。

不斷壯大的芯片

行業(yè)觀察者預(yù)測(cè),英偉達(dá)即將推出的B系列產(chǎn)品,如GB200, B100, B200等,將對(duì)CoWoS封裝產(chǎn)能產(chǎn)生巨大壓力。據(jù)IT之家早前報(bào)道,臺(tái)積電已計(jì)劃在2024年提高CoWoS產(chǎn)能至每月近4萬(wàn)片,較去年增長(zhǎng)逾150%。

預(yù)計(jì)2025年總產(chǎn)能將再翻番。然而,英偉達(dá)新款B100與B200芯片的中間層面積增大,使得12寸晶圓切割出的芯片數(shù)量減少,CoWoS封裝產(chǎn)能難以滿足GPU需求。

HBM的挑戰(zhàn)

業(yè)界人士指出,HBM同樣面臨諸多問(wèn)題。例如,SK海力士作為HBM市場(chǎng)占有率最高的企業(yè),其EUV層數(shù)正逐漸增加。從1α階段的單層EUV,升級(jí)至1β階段,甚至有望將EUV使用量提升3~4倍。

此外,隨著HBM的多次迭代,DRAM數(shù)量亦隨之增加。HBM2中DRAM數(shù)量為4~8個(gè),HBM3/3E則增至8~12個(gè),而HBM4中DRAM數(shù)量將達(dá)到16個(gè)。

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