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英特爾競購High-NA EUV設(shè)備,臺積電決定回避

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-20 09:39 ? 次閱讀

英特爾宣布引入ASML的高數(shù)值孔徑極紫外光(High-NA EUV)設(shè)備,被視作回歸技術(shù)主導地位的重要舉措。然而,有業(yè)內(nèi)人士擔心這可能導致英特爾的虧損進一步加劇。此舉引發(fā)了對其是否成功回歸技術(shù)領(lǐng)導地位的探討。

另一方面,臺積電的年度技術(shù)論壇正在美國和歐洲如火如荼地進行,備受世人矚目的是該公司計劃在2026年量產(chǎn)A16技術(shù),該技術(shù)將結(jié)合納米片晶體管和超級電軌架構(gòu)。而對于英特爾斥巨資引進High-NA EUV設(shè)備,卻被曝臺積電決定繼續(xù)沿用現(xiàn)有EUV設(shè)備代替High-NA EUV設(shè)備,形成鮮明對比。

據(jù)悉,盡管英特爾希望借助High-NA EUV設(shè)備重回技術(shù)領(lǐng)導者之列,但實際市場反應部分項目經(jīng)理擔憂這可能增加英特爾的生產(chǎn)成本并降低其盈利能力。因此,英特爾是否真的能憑借High-NA EUV設(shè)備重回技術(shù)領(lǐng)導者之列,仍需要時間來驗證。

在此背景下,臺積電決定A16制程不采用High-NA EUV設(shè)備的原因引起了廣泛關(guān)注。有專家分析,臺積電可能已經(jīng)權(quán)衡過High-NA EUV設(shè)備的優(yōu)缺點,并選擇了更為經(jīng)濟實惠的方案。同時,也有人認為,如果客戶愿意支付更高的費用,臺積電仍然有可能選擇High-NA EUV設(shè)備。

此外,ASML表示,High-NA EUV設(shè)備的數(shù)值孔徑從0.33增大到0.55,具有更高的分辨率和精度,有助于簡化制造流程,縮短生產(chǎn)時間,提高生產(chǎn)效率。然而,由于設(shè)備價格昂貴,每套設(shè)備售價高達3.8億美元,比EUV設(shè)備高出近一倍,這無疑給制造商帶來了巨大壓力。

總的來說,雖然英特爾和臺積電都在積極推進先進工藝,但他們的策略和選擇各有不同。英特爾的舉動是否能幫助其重回技術(shù)領(lǐng)導者之列,以及臺積電是否會改變主意,采用High-NA EUV設(shè)備,這些問題都有待時間給出答案。

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