0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-10 10:48 ? 次閱讀

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術(shù)突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。

相比前代器件,Vishay Siliconix的n溝道SiHR080N60E在性能上有了顯著提升。其導(dǎo)通電阻降低了27%,從而實現(xiàn)了更高的能效。同時,其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積的改進(jìn),進(jìn)一步提升了600 V MOSFET的性能表現(xiàn)。

這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,無疑將推動通信、工業(yè)和計算領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展,為這些領(lǐng)域帶來更高效、更可靠的解決方案。威世科技將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新,為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • Vishay
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    889

    瀏覽量

    116811
  • 功率MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    351

    瀏覽量

    22144
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

    )封裝技術(shù),稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計,使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱,極大地提升了整體性能。新推出的
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:18 ?216次閱讀
    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,采用<b class='flag-5'>創(chuàng)新</b><b class='flag-5'>X</b>.PAK<b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    角逐年度黑馬,鐵馬F8 SSD Plus收入囊中!

    跟大家分享一個好消息 鐵馬F8 SSD Plus榮獲 PConline 2024智臻科技獎 《年度黑馬》獎項 撒花花~~~ 鐵馬F8 SSD Plus 是鐵
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:45 ?241次閱讀
    角逐年度黑馬,鐵<b class='flag-5'>威</b>馬F<b class='flag-5'>8</b> SSD Plus收入囊中!

    特瑞仕推出功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R

    特瑞仕半導(dǎo)體株式會社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:木村 岳史,以下簡稱“特瑞仕”)開發(fā)了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作為
    的頭像 發(fā)表于 01-13 16:50 ?520次閱讀

    CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

    提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨,2024 年12 月12 日 :Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片
    發(fā)表于 12-16 14:09 ?196次閱讀

    半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安半導(dǎo)體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:35 ?1093次閱讀

    高通推出全新驍龍X Plus 8核平臺

    在萬眾矚目的2024年柏林國際電子消費品展覽會(IFA 2024)前夕,高通技術(shù)公司震撼發(fā)布驍龍?X Plus 8核平臺,這一創(chuàng)新之舉不僅拓寬了驍龍
    的頭像 發(fā)表于 09-05 16:10 ?524次閱讀

    兆半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET

    在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上,兆半導(dǎo)體震撼發(fā)布了其全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET——HCF2030MR70KH0,該產(chǎn)品以其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計,
    的頭像 發(fā)表于 09-03 15:40 ?766次閱讀

    英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

    英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:50 ?686次閱讀

    新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

    新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展,在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8
    的頭像 發(fā)表于 09-03 08:02 ?405次閱讀
    新品 | 600V CoolMOS? <b class='flag-5'>8</b> SJ <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列

    發(fā)力新能源汽車和儲能市場,兆半導(dǎo)體推出新一代700V SiC MOSFET

    8月27日,在Elexcon2024深圳國際電子展上,兆半導(dǎo)體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,這款產(chǎn)品采用了緊湊高效的SOT-22
    的頭像 發(fā)表于 09-02 09:12 ?6282次閱讀
    發(fā)力新能源汽車和儲能市場,<b class='flag-5'>威</b>兆半導(dǎo)體推出新一代700V SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    Nexperia(安)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET,滿足工業(yè)應(yīng)用增長需求

    近日,全球知名的半導(dǎo)體制造商Nexperia(安)半導(dǎo)體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進(jìn)的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布
    的頭像 發(fā)表于 05-23 10:57 ?656次閱讀
    Nexperia(安<b class='flag-5'>世</b>)<b class='flag-5'>發(fā)布</b>高性能碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>,滿足工業(yè)應(yīng)用增長需求

    將凱睿德制造 MES 擴(kuò)展到半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

    ,已將凱睿德制造 MES 的應(yīng)用范圍從 2019 年美國的工廠擴(kuò)大到其半導(dǎo)體制造工廠。 在無源元件業(yè)務(wù)的 30 多家工廠安裝凱睿德制造軟件之后,還將把該軟件擴(kuò)展到的半導(dǎo)體業(yè)務(wù),
    的頭像 發(fā)表于 05-17 09:58 ?485次閱讀

    Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET

    Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x
    的頭像 發(fā)表于 05-14 15:33 ?830次閱讀

    Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

    Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E
    的頭像 發(fā)表于 05-10 11:47 ?1224次閱讀
    Vishay推出采用<b class='flag-5'>PowerPAK</b> <b class='flag-5'>8x8LR</b><b class='flag-5'>封裝</b>的第四代600 VE系列<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品

    東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩
    的頭像 發(fā)表于 05-08 14:35 ?611次閱讀

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品