負(fù)性阻抗-R也稱為發(fā)振余裕度,用于評價晶振在發(fā)振回路上的發(fā)振能力。發(fā)振余裕度不足時,會導(dǎo)致振蕩電路振蕩不穩(wěn)定甚至啟動失效等問題。負(fù)性阻抗-R需滿足-R>(3~5)Rr,晶振電路才能穩(wěn)定發(fā)振。晶振電路負(fù)性阻抗-R的測試電路原理。
圖中RQ為可調(diào)電阻。具體測試方法:通過不斷增大RQ阻值,直到晶振停止振蕩,記錄此時的RQ阻值,根據(jù)測得的RQ值,可按如下公式計算負(fù)性阻抗:|-R|=RQ+RL
式中:RL為加載后的諧振電阻;Rr為等效串聯(lián)電阻。文中設(shè)計的晶振電路經(jīng)過測量計算得到的負(fù)性阻抗-R為430 Ω,大于諧振電阻的3倍,符合要求。
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