0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-05-09 08:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

用于2kV碳化硅MOSFET模塊的

數(shù)字驅(qū)動評估板

045c883e-0d99-11ef-9118-92fbcf53809c.png

評估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的特性測試。評估板使用EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M數(shù)字驅(qū)動電路,參數(shù)可以通過I2C-BUS靈活設(shè)置。電路板可以在不改變硬件設(shè)計的前提下針對不同用于優(yōu)化設(shè)計。電路有27個配置寄存器,通過I2C接口設(shè)置。這些配置選項可以調(diào)整多個閾值和時序參數(shù),以優(yōu)化驅(qū)動保護(hù)特性。

產(chǎn)品型號:

EVAL-FFXMR20KM1HDR

所用器件:

柵極驅(qū)動器:1ED38x0Mc12M

產(chǎn)品特點

用于62mm,2kV CoolSiC溝槽柵MOSFET模塊的半橋驅(qū)動板

驅(qū)動有獨立的拉電流和灌電流管腳,便于優(yōu)化柵極驅(qū)動

驅(qū)動IC 1ED3890MC12M或1ED3890MU12M X3系列數(shù)字電路,帶I2C總線,用于參數(shù)調(diào)整

硬件欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)

應(yīng)用價值

兩級關(guān)斷(TLTO),可調(diào)節(jié)斜率、第二級電壓平臺時間和電壓值

驅(qū)動負(fù)電壓調(diào)節(jié)范圍為-5V至0V

可以調(diào)節(jié)正電壓,在高開關(guān)頻率下降低總損耗

電路板設(shè)計降低電路板發(fā)熱

與2kV的新型碳化硅62毫米半橋模塊配套

可以實現(xiàn)-5V至+18V范圍正負(fù)電壓驅(qū)動

客戶可用EiceDRIVER軟件工具,設(shè)計方便

集成了TLTO、DESAT檢測、軟特性UVLO、米勒箝位等功能

應(yīng)用領(lǐng)域

直流-直流轉(zhuǎn)換器

太陽能應(yīng)用

不間斷電源系統(tǒng)

固態(tài)變壓器

電機(jī)驅(qū)動器

框圖

04b437c8-0d99-11ef-9118-92fbcf53809c.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8600

    瀏覽量

    220401
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3065

    瀏覽量

    50458
  • 數(shù)字驅(qū)動器

    關(guān)注

    1

    文章

    2

    瀏覽量

    2387
收藏 0人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:26 ?144次閱讀

    SiC碳化硅MOSFET時代的驅(qū)動供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:57 ?289次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>時代的<b class='flag-5'>驅(qū)動</b>供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 06-09 17:22 ?257次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>全橋<b class='flag-5'>模塊</b>在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?320次閱讀
    國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進(jìn)口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?276次閱讀
    國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡

    (Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 05-05 18:20 ?306次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動</b>電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?284次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    茜 微信&手機(jī):13266663313 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?221次閱讀
    基于國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案

    SiC-MOSFET,SiC功率模塊驅(qū)動,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:21 ?276次閱讀
    傾佳電子提供SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>正負(fù)壓<b class='flag-5'>驅(qū)動</b>供電與米勒鉗位解決方案

    超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?520次閱讀
    超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級至650V<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本<b class='flag-5'>驅(qū)動</b>力分析

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設(shè)計方案

    傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設(shè)計方案,助力射頻電源業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜致力于推動
    的頭像 發(fā)表于 02-13 21:56 ?435次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>和隔離<b class='flag-5'>驅(qū)動</b>的真空鍍膜電源設(shè)計方案

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    了解用于碳化硅MOSFET的短路保護(hù)方法

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解用于碳化硅MOSFET的短路保護(hù)方法.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-02 09:10 ?2次下載
    了解<b class='flag-5'>用于</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的短路保護(hù)方法

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品