制造版圖大變革！逾10座晶圓廠蓄勢待發(fā)！

據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的激烈競爭和市場需求的復(fù)雜波動中，晶圓廠建設(shè)熱潮正在美國興起，這一波建設(shè)浪潮的核心動力之一，便是美國政府推出的《芯片與科學(xué)法案》所承諾的巨額補貼，旨在提升美國在全球半導(dǎo)體行業(yè)的競爭力。

當(dāng)?shù)貢r間4月25日，美光科技正式在其官網(wǎng)宣布，獲得61億美元政府補助，成為《芯片與科學(xué)法案》的受益者。這筆資金，連同來自美國財政部的投資稅收抵免和紐約州的地方激勵措施，將推動美光在愛達(dá)荷州和紐約州的DRAM存儲器制造工廠建設(shè)項目，總投資預(yù)計將達(dá)到驚人的500億美元。

美光規(guī)劃將新建五座新工廠，其中在紐約州建設(shè)4座工廠，并在其總部所在地愛達(dá)荷州博伊西市建設(shè)1座工廠。

美光的擴張計劃只是冰山一角。臺積電、三星、英特爾和格芯等全球半導(dǎo)體行業(yè)的主要參與者同樣在美國政府的支持下，紛紛宣布了建廠計劃。例如，三星在得克薩斯州的半導(dǎo)體生態(tài)集群建設(shè)，臺積電亞利桑那州的第三座晶圓廠，以及英特爾跨越多個州的大規(guī)模投資，都是這一戰(zhàn)略部署的重要組成部分。

值得注意的是，這些晶圓廠的建設(shè)并非單純的數(shù)量堆砌，而是有著明確的技術(shù)導(dǎo)向和市場需求考量。美光和其他廠商均著眼于先進(jìn)制程技術(shù)，如4納米、2納米芯片的生產(chǎn)，以及DRAM、NAND Flash等關(guān)鍵存儲芯片的擴產(chǎn)，以應(yīng)對智能手機、個人電腦、服務(wù)器乃至新興領(lǐng)域如智能汽車、人工智能對高性能存儲芯片不斷增長的需求。

自2023年2月開放資助申請以來，美國CHIPS計劃辦公室（The CHIPS Program Office）已收到630多份意向書和180份項目申請。由于資金有限且申請數(shù)量巨大，CHIPS項目辦公室已近日宣布，計劃關(guān)閉半導(dǎo)體制造工廠的資助申請，將關(guān)閉對半導(dǎo)體工廠或晶圓廠的聯(lián)邦資助機會，“直至另行通知”。

綜上所述，逾10座晶圓廠在美國蓄勢待發(fā)，不僅預(yù)示著半導(dǎo)體制造業(yè)的地理版圖正在發(fā)生深刻變化，也體現(xiàn)了在全球化背景下，國家間圍繞關(guān)鍵技術(shù)自主可控的競爭日益白熱化。美國政府與企業(yè)界的合作模式，及其對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大力扶植，正成為觀察全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢的一個重要窗口。

據(jù)不完全統(tǒng)計，已經(jīng)有7家半導(dǎo)體企業(yè)受益于《芯片與科學(xué)法案》政策獲取美國政府資金補貼，以下是基本情況:

美光獲61.4億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間4月25日，美國最大的計算機存儲芯片制造商美光科技宣布，將從美國聯(lián)邦政府獲得61.4億美元的直接資金，用于在紐約建設(shè)兩座DRAM晶圓廠，在愛達(dá)荷州新建一家DRAM晶圓廠。除61億美元的政府撥款外，美光也有資格獲得美國財政部的投資稅收抵免，這將為合格的資本投資提供25%的抵免。此外紐約州政府也將提供價值55億美元的激勵措施。

三星獲64億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間4月15日，美國商務(wù)部宣布，將向三星提供64億美元的直接補貼，支持該公司在得克薩斯州建設(shè)計算機芯片制造和研發(fā)產(chǎn)業(yè)集群。此外三星還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預(yù)期能夠覆蓋合規(guī)資本支出的25%。

據(jù)悉，三星將對其位于得州奧斯汀的原有晶圓廠進(jìn)行擴建，同時在奧斯汀東北方向的泰勒市新建兩座專注于大規(guī)模生產(chǎn)4nm和2nm工藝制程芯片的晶圓廠、一座研發(fā)工廠和一座先進(jìn)封裝設(shè)施。

臺積電獲66億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間4月8日，美國商務(wù)部宣布，將向臺積電（TSMC）發(fā)放66億美元的直接資金補貼，并提供50億美元的低息政府貸款，用于支持臺積電在亞利桑那州新建設(shè)三座新的尖端芯片廠。

臺積電透露，依進(jìn)度規(guī)劃，亞利桑那州首座晶圓廠將于2025年上半年開始生產(chǎn)4納米制程芯片，第二座廠除了采用3納米技術(shù)，還將于2028年生產(chǎn)采用下一世代納米片（Nanosheet）晶體管結(jié)構(gòu)的2納米制程芯片。至于第三座晶圓廠，預(yù)計將在21世紀(jì)20年代末（2029年至2030年）采用2納米或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

英特爾獲85億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間3月20日，美國商務(wù)部和英特爾簽署非約束性的初步條款備忘錄，擬通過《芯片和科學(xué)法案》為英特爾提供85億美元的直接資金補貼和110億美元的聯(lián)邦貸款擔(dān)保，以推進(jìn)其在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的商用半導(dǎo)體項目。其中，英特爾在俄亥俄州的新建晶圓廠將耗資逾200億美元，預(yù)計該廠將于2027年或2028年投產(chǎn)。據(jù)悉，俄亥俄州的工廠將生產(chǎn)人工智能芯片。

格芯獲15億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間2月19日，美國政府表示，將向Global Foundries（格芯）提供15億美元資金，以支持其在紐約州馬爾他興建新廠，并擴大當(dāng)?shù)嘏c佛蒙特州伯靈頓（Burlington）既有的生產(chǎn)規(guī)模。此外，政府還將提供給格芯16億美元的貸款，最終帶動投資在120億美元左右。

微芯獲1.62億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間1月4日，美國商務(wù)部宣布，向Microchip Technology（微芯）提供1.62億美元的政府補貼，以提高該公司芯片和微控制器（MCU）的產(chǎn)量。據(jù)悉，該筆補貼將分為兩個部分，第一部分約為9000萬美元，用于擴建Microchip Technology在美國科羅拉多州的一家制造工廠，第二部分約為7200萬美元，用于擴建在美國俄勒岡州的一家工廠。

審核編輯 黃宇