0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

麥斯克電子年產(chǎn)360萬片8英寸硅外延片項目封頂

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-06 14:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

麥斯克電子近日宣布,其年產(chǎn)360萬片8英寸硅外延片的項目已成功封頂。據(jù)CEFOC中電四公司透露,該項目的總投資額超過14億元,建設(shè)規(guī)模宏大,占地建筑面積超過5萬平方米。預(yù)計項目建成并投產(chǎn)后,將大幅提升麥斯克電子在硅外延片領(lǐng)域的生產(chǎn)能力,年產(chǎn)量將達到360萬片8英寸硅外延片。

麥斯克電子材料股份有限公司,作為洛單集團的子公司,一直在電路級硅單晶及硅拋光片領(lǐng)域占據(jù)重要地位。其主要產(chǎn)品包括5、6、8英寸電路級單晶硅拋光片,廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)業(yè)中。此次8英寸硅外延片項目的成功封頂,不僅展示了麥斯克電子在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴張方面的決心與實力,也為其未來的發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 硅外延片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    11

    瀏覽量

    6117
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    國內(nèi)氮化鎵大廠被申請破產(chǎn):曾規(guī)劃投資50億,年產(chǎn)36晶圓

    半導(dǎo)體的破產(chǎn)重整。 ? 聚力成半導(dǎo)體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設(shè)立,并于2018年9月與重慶大足區(qū)政府簽約,啟動外延和芯片產(chǎn)線項目,主要業(yè)務(wù)是基氮化鎵/碳化硅基氮化鎵
    的頭像 發(fā)表于 05-22 01:07 ?2690次閱讀
    國內(nèi)氮化鎵大廠被申請破產(chǎn):曾規(guī)劃投資50億,<b class='flag-5'>年產(chǎn)</b>36<b class='flag-5'>萬</b><b class='flag-5'>片</b>晶圓

    上揚軟件助力12英寸異構(gòu)堆疊芯片企業(yè)建設(shè)MES系統(tǒng)項目

    近日,上揚軟件攜手國內(nèi)某12英寸異構(gòu)堆疊芯片企業(yè),正式啟動MES(制造執(zhí)行系統(tǒng))、EAP(設(shè)備自動化系統(tǒng))和RMS(配方管理系統(tǒng))系統(tǒng)的建設(shè)。該企業(yè)作為行業(yè)內(nèi)的重要參與者,專注于異構(gòu)堆疊芯片生產(chǎn)制造,年產(chǎn)能達30
    的頭像 發(fā)表于 03-26 17:01 ?558次閱讀

    士蘭微電子8英寸碳化硅項目封頂

    近日,士蘭微電子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目(廈門士蘭集宏一期)正式封頂。封頂
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:20 ?572次閱讀

    三安意法重慶8英寸碳化硅項目正式通線 將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)

    后每周可以生產(chǎn)約1車規(guī)級晶圓。 ? ? ? 安意法半導(dǎo)體有限公司成立于2023年8月,由三安光電(股權(quán)占比51%)與意法半導(dǎo)體(中國)投資有限公司(股權(quán)占比49%)共同出資設(shè)立,項目
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:45 ?1949次閱讀

    SiC外延的化學(xué)機械清洗方法

    引言 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延的制造過程中,表面污染物的存在會嚴重影響
    的頭像 發(fā)表于 02-11 14:39 ?414次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>外延</b><b class='flag-5'>片</b>的化學(xué)機械清洗方法

    有效抑制SiC外延掉落物缺陷生成的方法

    引言 碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信及高溫環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延生長過程中,掉落物缺陷(如顆粒脫落、乳凸等)一直是
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:35 ?401次閱讀
    有效抑制SiC<b class='flag-5'>外延</b><b class='flag-5'>片</b>掉落物缺陷生成的方法

    士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目啟動,預(yù)計今年一季度封頂

    據(jù)廈門日報的最新報道,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目于1月21日取得了重要進展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上,鋼結(jié)構(gòu)首吊成功吊裝,標志著該項目正式進入快速建設(shè)階段。預(yù)
    的頭像 發(fā)表于 01-24 15:01 ?934次閱讀

    集成電路外延詳解:構(gòu)成、工藝與應(yīng)用的全方位剖析

    集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石,而外延作為集成電路制造過程中的關(guān)鍵材料,其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延
    的頭像 發(fā)表于 01-24 11:01 ?1026次閱讀
    集成電路<b class='flag-5'>外延</b><b class='flag-5'>片</b>詳解:構(gòu)成、工藝與應(yīng)用的全方位剖析

    封頂!奧松半導(dǎo)體重慶8英寸MEMS項目今年投產(chǎn)

    1月8日,記者從西部(重慶)科學(xué)城獲悉,奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地一期項目FAB主廠房近日封頂,標志著該
    的頭像 發(fā)表于 01-09 18:25 ?1173次閱讀

    用于半導(dǎo)體外延生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)

    一、引言 在半導(dǎo)體制造業(yè)中,外延生長技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。化學(xué)氣相沉積(CVD)作為一種主流的外延生長方法,被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延。而在CVD
    的頭像 發(fā)表于 01-08 15:49 ?364次閱讀
    用于半導(dǎo)體<b class='flag-5'>外延</b><b class='flag-5'>片</b>生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸,其
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    <b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>單片高溫碳化硅<b class='flag-5'>外延</b>生長室結(jié)構(gòu)

    ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED外延無損檢測的應(yīng)用

    實驗名稱:基于單端接觸原理的LED外延無損檢測實驗內(nèi)容:基于單注入模式,使用新型檢測系統(tǒng)獲取LED外延的電學(xué)參數(shù)與光學(xué)參數(shù)。研究方向:LED外延
    的頭像 發(fā)表于 10-25 10:29 ?627次閱讀
    ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED<b class='flag-5'>外延</b><b class='flag-5'>片</b>無損檢測的應(yīng)用

    方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達16.8

    年底將增至1.4/月,并在2025年具備年產(chǎn)16.8車規(guī)級SiC MOS的生產(chǎn)能力。同時,GaN(氮化鎵)產(chǎn)能已達4000
    的頭像 發(fā)表于 10-16 15:27 ?2352次閱讀

    外延和擴散的區(qū)別是什么

    分子束外延(MBE)技術(shù)。外延層可以具有不同的摻雜類型和濃度,以滿足特定的電子特性。 擴散是通過在硅片上擴散摻雜劑來制造的。這個過程通常在高溫下進行,以使摻雜劑擴散到硅片中。擴散
    的頭像 發(fā)表于 07-12 09:16 ?1719次閱讀

    中國首條12英寸MEMS量產(chǎn)線今天投產(chǎn)!5年370億兩座晶圓廠12每月!

    Flag完成!從動土開工到投產(chǎn),18個月搞定!中國首條12英寸MEMS量產(chǎn)線!5年投資370億,兩座晶圓廠,12/月產(chǎn)能! 今天(6月28日),廣州增芯科技有限公司12英寸先進智能
    的頭像 發(fā)表于 06-29 08:39 ?1808次閱讀
    中國首條12<b class='flag-5'>英寸</b>MEMS量產(chǎn)線今天投產(chǎn)!5年370億兩座晶圓廠12<b class='flag-5'>萬</b><b class='flag-5'>片</b>每月!

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品