晶湛半導(dǎo)體與Incize合作，推動下一代硅基氮化鎵的發(fā)展

4月23日，在比利時新魯汶的愛因斯坦高科技園區(qū)，晶湛半導(dǎo)體和 Incize 達(dá)成了一份戰(zhàn)略合作備忘錄，雙方將在硅基氮化鎵外延技術(shù)的建模、仿真和測試方面進(jìn)行深入的戰(zhàn)略合作。

據(jù)了解，自2019年以來，晶湛半導(dǎo)體和 Incize 雙方在硅基氮化鎵外延的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)上一直保持著密切合作，合力提升硅基氮化鎵外延品質(zhì)以滿足無線通信應(yīng)用的苛刻需求。兩家公司基于對合作成果的認(rèn)可，決定正式建立合作伙伴關(guān)系，以進(jìn)一步擴(kuò)大和加強(qiáng)戰(zhàn)略合作，將更多創(chuàng)新產(chǎn)品推向充滿前景和活力的市場。

隨著外延技術(shù)的發(fā)展，硅基氮化鎵通信器件取得了重大進(jìn)展。然而，射頻損耗是硅基氮化鎵成為無線通信應(yīng)用主流技術(shù)的重要瓶頸。晶湛通過獨(dú)有的緩沖層生長技術(shù)，大幅降低硅基氮化鎵的射頻損耗，使其Low Loss GaN 產(chǎn)品達(dá)到與Trap-rich SOI相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，為硅基氮化鎵成為主流技術(shù)鋪平道路。

二次諧波失真基準(zhǔn)圖（負(fù)值越大越好）：Enkris硅基氮化鎵Low Loss GaN（實心三角形）與其他供應(yīng)商（空心三角形）以及Trap-rich SOI技術(shù)（實心圓圈）的對比。

Incize 創(chuàng)始人兼CEO Mostafa Emam 博士表示：“INCIZE是以創(chuàng)新器件測試和建模著稱的比利時公司，也是倡導(dǎo)振興歐洲半導(dǎo)體生態(tài)圈的一員。得益于行業(yè)領(lǐng)先的建模、設(shè)計和測試團(tuán)隊以及最先進(jìn)的技術(shù)設(shè)備，Incize客戶類型覆蓋了代工廠、晶圓制造商和 IC 設(shè)計公司。Incize 堅信，企業(yè)要設(shè)計更好的無線通信芯片，對襯底和底層技術(shù)進(jìn)行創(chuàng)新和升級至關(guān)重要，Incize積極參與并樂于幫助晶圓制造商的創(chuàng)新。晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為外延領(lǐng)域的主要供應(yīng)商之一，在III-V 族材料的制備上深耕多年，并且有著深厚的研發(fā)底蘊(yùn)，這與我們 Incize 的經(jīng)驗和服務(wù)完美契合?！?/p>

晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼CEO程凱博士表示：“晶湛目前針對不同應(yīng)用的GaN-on-Si外延材料，無論是在銷售客戶端、生產(chǎn)供應(yīng)鏈還是技術(shù)開發(fā)端都取得了長足進(jìn)步，其中無線通信應(yīng)用是一個要求很高但前景廣闊的市場，我們很高興加強(qiáng)晶湛和 Incize 之間現(xiàn)有的合作，也將進(jìn)一步開展長期合作，推動下一代硅基氮化鎵的發(fā)展。Incize擁有先進(jìn)的測試設(shè)備、專業(yè)流程和建模團(tuán)隊資源，此次合作將為晶湛提供在外延材料方面進(jìn)行深度創(chuàng)新試驗的機(jī)會?！?/p>

晶湛半導(dǎo)體成立于 2012 年，是一家 GaN外延代工廠，為電力電子、無線應(yīng)用和 micro-LED 應(yīng)用的客戶提供高質(zhì)量的 GaN 外延材料解決方案。其產(chǎn)品包括GaN-on-Si、GaN-on-GaN和GaN-on-Sapphire，晶圓尺寸最大可達(dá)300mm。公司還可以為客戶提供晶湛知識產(chǎn)權(quán)的定制結(jié)構(gòu)，以滿足客戶特定的要求。

Incize 成立于 2014 年，十年來的客戶信任和自主創(chuàng)新使得公司從材料、設(shè)備、電路到系統(tǒng)層面，為高度動態(tài)的無線通信應(yīng)用市場提供服務(wù)。高素質(zhì)團(tuán)隊在無線通信材料和器件的模擬、測試和建模方面積累了豐富的經(jīng)驗，并長期提供令客戶滿意的高質(zhì)量服務(wù)。Incize 的客戶是世界各地的晶圓制造商、代工廠、無晶圓廠和IDM。Incize 自豪地為無線通信半導(dǎo)體市場的所有主要參與者提供廣泛的服務(wù)。

審核編輯：劉清