0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

2000V SiC分立器件雙脈沖或連續(xù)PWM評估板

jf_94163784 ? 來源:jf_94163784 ? 作者:jf_94163784 ? 2024-05-14 17:44 ? 次閱讀

wKgaomYruRaAbIJhAAWeWVPtE1o612.png

開發(fā)EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板的目的是評估TO-247 PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000V碳化硅MOSFET。

評估板是精確的通用測試平臺(tái),用于評估全系列CoolSiC? 2000V SiC MOSFET分立器件和EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器1ED31xx系列。

該電路板設(shè)計(jì)靈活,可在不同的測試條件下,通過雙脈沖或連續(xù)PWM運(yùn)行進(jìn)行各種測量,譬如光伏、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電等應(yīng)用。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城

評估板型號(hào):

EVAL-COOLSIC-2kVHCC

相關(guān)器件:

· TO-247 PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000V 24mΩ

· 1ED3124MU12H 14A,5.7kV (rms)緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品特點(diǎn):

· 雙脈沖或連續(xù)PWM運(yùn)行

· 耐壓高達(dá)1500VDC

· 與TO-247PLUS-4-HCC和TO-247-2封裝兼容

· 可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)電壓

· 支持外部XMC4400控制器,型號(hào)為:KIT_XMC4400_DC_V1

· 為直流母線緩沖電路評估預(yù)留空間

· EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器1ED3124MU12H

應(yīng)用價(jià)值:

· 市場上首個(gè)應(yīng)用于2000V CoolSiC? MOSFET的評估板

· 英飛凌高壓CoolSiC? MOSFET與緊湊型單通道2300V EiceDRIVER?隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

· 操作簡便,同時(shí)滿足高壓安全要求

· 通用設(shè)計(jì)可以用于多種測試場景

· 高壓分立器件的精確測試平臺(tái)

· 高功率密度

· 支持不同的運(yùn)行模式

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 光伏

· 儲(chǔ)能系統(tǒng)

· 電動(dòng)汽車充電

產(chǎn)品框圖:

wKgZomYruRaAcHdjAADjTG_ZJgw958.jpg




審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • PWM
    PWM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    116

    文章

    5329

    瀏覽量

    217653
  • 分立器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    228

    瀏覽量

    21759
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3118

    瀏覽量

    64273
  • 評估板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    588

    瀏覽量

    29883
收藏 0人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    2000V高壓儲(chǔ)能趨勢下,磁環(huán)如何實(shí)現(xiàn)高低溫衰減≤12%

    儲(chǔ)能電壓將從1500V提升到2000V,儲(chǔ)能系統(tǒng)中關(guān)鍵部件的絕緣耐壓水平需要提高,對其中的非晶納米晶材料提出什么要求?維愛普又是如何滿足的? 十五年前,600V 的系統(tǒng)電壓是組件的主流產(chǎn)品。五年前
    的頭像 發(fā)表于 04-18 16:37 ?149次閱讀

    瑞能全新TO247 2000V 90A整流管WND90P20W亮相

    瑞能全新TO247 2000V 90A整流管WND90P20W閃亮登場!
    的頭像 發(fā)表于 03-25 16:57 ?375次閱讀
    瑞能全新TO247 <b class='flag-5'>2000V</b> 90A整流管WND90P20W亮相

    2 kV SiC功率模塊:推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命

    由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升,具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000V,新的可能性隨之
    的頭像 發(fā)表于 03-14 11:01 ?263次閱讀
    2 kV <b class='flag-5'>SiC</b>功率模塊:推動(dòng)1500 <b class='flag-5'>V</b>系統(tǒng)的革命

    國產(chǎn)SiC器件飛跨電容三電平取代2000V器件兩電平MPPT升壓方案

    老款2000V器件兩電平MPPT升壓方案。結(jié)合飛跨電容三電平拓?fù)洌山档?0%以上的開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率至98%以上。 零反向恢復(fù)電流 :B3D80120H2 SiC二極管無反向恢復(fù)電
    的頭像 發(fā)表于 03-03 17:01 ?291次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>飛跨電容三電平取代<b class='flag-5'>2000V</b><b class='flag-5'>器件</b>兩電平MPPT升壓方案

    瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

    日前,瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2),為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級(jí)可靠性測試,并在光伏客戶導(dǎo)入驗(yàn)證。
    的頭像 發(fā)表于 03-01 09:27 ?569次閱讀
    瞻芯電子推出<b class='flag-5'>2000V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> 4相升壓功率模塊

    英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

    英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能,榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)
    的頭像 發(fā)表于 02-08 11:24 ?301次閱讀
    英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET <b class='flag-5'>2000V</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>和模塊備受矚目

    SiC碳化硅MOSFET功率器件脈沖測試方法介紹

    碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件脈沖測試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:34 ?487次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET功率<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b>測試方法介紹

    功率半導(dǎo)體器件脈沖測試方案

    我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了許多在普通5
    的頭像 發(fā)表于 01-22 17:30 ?2064次閱讀
    功率半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b>測試方案

    天合光能榮獲全球首張210系列組件UL 2000V認(rèn)證

    近日,天合光能至尊N型2000V高壓組件,憑借其在高功率輸出、高系統(tǒng)電壓和卓越可靠性等方面的顯著優(yōu)勢,成功通過第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)UL Solutions認(rèn)證,榮獲全球首張210系列組件UL 61730
    的頭像 發(fā)表于 01-17 10:10 ?385次閱讀

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?1次下載

    英飛凌再次榮膺2024年全球電子產(chǎn)品獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

    11月5日,英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能,榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)(WorldElectroni
    的頭像 發(fā)表于 11-07 08:03 ?764次閱讀
    英飛凌再次榮膺2024年全球電子產(chǎn)品獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET <b class='flag-5'>2000V</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>和模塊備受矚目

    英飛凌推出CoolSi肖特基二極管2000V G5

    在當(dāng)今快速發(fā)展的工業(yè)應(yīng)用中,追求更低功率損耗與更高功率水平已成為行業(yè)共識(shí)。為了滿足這一迫切需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了革命性的CoolSiC?肖特基二極管2000V G5。
    的頭像 發(fā)表于 10-29 11:34 ?604次閱讀

    英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V,直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC

    代碼:IFNNY)推出CoolSiC肖特基二極管2000VG5,這是市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000V分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流母線電壓高達(dá)1500VD
    的頭像 發(fā)表于 10-25 08:04 ?806次閱讀
    英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管<b class='flag-5'>2000V</b>,直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC

    AMC1350EVM經(jīng)過電阻分壓后,是否可以安全測量2000V交流電?

    AMC1350EVM 測量交流電壓極限值是怎么判定,如何理解手冊中最大工作隔離電壓為1500V,如果需要測量交流2000V,是否也可以滿足,只要注意輸入共模電壓和輸入電流的限制?
    發(fā)表于 08-02 11:44

    IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計(jì)2000V CoolSiC?驅(qū)動(dòng)評估

    英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達(dá)到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件,再次推出首個(gè)應(yīng)用于2000VCoolSiCMOSFET的評估
    的頭像 發(fā)表于 08-02 08:14 ?550次閱讀
    IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計(jì)<b class='flag-5'>2000V</b> CoolSiC?驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>評估</b><b class='flag-5'>板</b>

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會(huì)員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個(gè)性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動(dòng)獲取豐厚的禮品