4 月 26 日報道,據(jù)英國電信運(yùn)營商 EE 透露,三星 Galaxy S24 FE 已進(jìn)入數(shù)據(jù)庫,產(chǎn)品型號為 “SM-S721U”。
據(jù)悉,此前網(wǎng)站 GalaxyClub 曾報道,三星正研發(fā)代號為 R12 的新款手機(jī)?;仡櫱皫状?FE 系列手機(jī),Galaxy S20 FE、S21 FE 和 S23 FE 的代號依次為 R8、R9 和 R11,因此 R12 的身份不言而喻(但需注意,尚未發(fā)布的 Galaxy S22 FE 代號為 R10)。
據(jù)推測,三星 Galaxy S24 FE 將搭載 6.1 英寸 AMOLED 顯示屏,具體尺寸尚待公布。此外,該機(jī)預(yù)計配備 12GB LPDDR5X RAM,提供 128GB(UFS 3.1)及 256GB(UFS 4.0)兩種存儲空間選擇。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5規(guī)范,將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ?
發(fā)表于 02-28 00:07
?571次閱讀
美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,三星Galaxy S25系列的部分設(shè)備已搭載美光業(yè)界前沿的LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0。該系列引入多模態(tài)AI助理,開創(chuàng)性地
發(fā)表于 02-25 09:44
?239次閱讀
在CES 2025開幕前夕,三星半導(dǎo)體憑借其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新與突破,以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術(shù),獲得了CES 2025在移動設(shè)備、配件及應(yīng)用程序領(lǐng)域的創(chuàng)新獎。
發(fā)表于 12-31 15:15
?404次閱讀
據(jù)8月14日外媒報道,三星電子正積極籌備在今年10月推出其全新的Galaxy S24 FE手機(jī),并計劃在隨后的12月發(fā)布Galaxy A16
發(fā)表于 08-15 16:27
?855次閱讀
三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實現(xiàn)了對上一代產(chǎn)品
發(fā)表于 08-07 11:21
?1170次閱讀
三星電子于6日正式宣布,其已成功實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機(jī)存儲器(LPDDR5X DRAM)的量產(chǎn),這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè),同時提供12GB
發(fā)表于 08-06 15:30
?685次閱讀
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存)開始量產(chǎn),支持12GB和16
發(fā)表于 08-06 08:32
?458次閱讀
三星今日宣布,已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。 此次10.7Gbps運(yùn)行速度的驗證,使用三星的16GB
發(fā)表于 07-16 15:55
?823次閱讀
據(jù)報道,三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身市場,其存儲版本分別有256GB、512GB及1TB三
發(fā)表于 05-10 14:25
?749次閱讀
據(jù)爆料平臺 GalaxyClub 透露,三星正秘密開發(fā)代號為 R12 的新品?;厮荽饲?b class='flag-5'>三代 FE 系列產(chǎn)品,Galaxy S20
發(fā)表于 04-22 11:52
?888次閱讀
值得注意的是,此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級制程工藝,相較前代產(chǎn)品性能提升
發(fā)表于 04-17 16:29
?833次閱讀
近日,三星宣布已開發(fā)出其首款支持高達(dá)10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
發(fā)表于 04-17 14:58
?808次閱讀
美光科技近日宣布,其低功耗LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0移動閃存存儲技術(shù)已成功應(yīng)用于三星Galaxy S24系列部分設(shè)備中,為全球手機(jī)用戶帶來了前所未有的人工智能體驗。
發(fā)表于 03-27 09:52
?5006次閱讀
近日,美光科技宣布,其與全球科技巨頭三星攜手合作,將美光低功耗LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0移動閃存存儲應(yīng)用于三星Galaxy S24系列手機(jī)
發(fā)表于 03-16 14:15
?1390次閱讀
Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,三星 Galaxy S24 系列的部分設(shè)備已搭載美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存
發(fā)表于 03-15 16:59
?602次閱讀
評論