SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

韓國 SK 海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。

當(dāng)前國際巨頭三星電子已經(jīng)推出了自己的 12Hi HBM3E 產(chǎn)品，每顆芯片容量高達 36GB，并已開始向客戶提供樣品，預(yù)計下半年將實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。

SK 海力士表示，今年的重點是滿足客戶對 8Hi HBM3E 的需求，同時也為明年客戶對 12Hi HBM3E 的需求增長做好充分準(zhǔn)備。

HBM3E 內(nèi)存的價格比 HBM3 高，因為它具有更大的帶寬和容量。

在電話會議上，SK 海力士強調(diào)將優(yōu)先保證高附加值和需求明確的 HBM 內(nèi)存供應(yīng)，同時指出 HBM 內(nèi)存芯片的尺寸是普通 DRAM 的兩倍，這將對常規(guī) DRAM 的晶圓投片產(chǎn)生影響，預(yù)計下半年產(chǎn)能將受限。

SK 海力士預(yù)測，若下半年個人電腦和智能手機需求恢復(fù)，現(xiàn)有庫存消耗殆盡，內(nèi)存市場將面臨緊張局面。

關(guān)于未來的 HBM4 內(nèi)存，SK 海力士表示將推遲采用混合鍵合技術(shù)，因其技術(shù)難度大，引入可能會對產(chǎn)能和質(zhì)量造成風(fēng)險。

SK 海力士計劃在 16Hi HBM 中繼續(xù)使用現(xiàn)有的 MR-MUF 鍵合技術(shù)，直到混合鍵合技術(shù)成熟后再進行應(yīng)用。