PN二極管中的電流I與結(jié)電壓VV的關(guān)系由公式給出,
...........(1)
圖1給出了PN二極管的典型伏安特性,如上式所示。在正向偏置時(shí),正向電流基本保持為零,直到達(dá)到 t 二極管的所謂 Cutin 電壓 V V 。該切入電壓定義為正向電流小于二極管最大額定電流 1%的電壓。該切入電壓也稱為導(dǎo)通電壓或閾值電壓。角質(zhì)電壓隨半導(dǎo)體材料和制造方法而變化。通常,鍺二極管的切入電壓約為 0.2 伏,硅二極管約為 0.6伏。硅二極管中角值較高,主要是由于IO值較低。
從圖1中我們觀察到,在角切電壓之外,正向電流隨著正向電壓的增加而迅速增加。在正向電壓范圍內(nèi),施加的電壓遠(yuǎn)大于V T (0.026 K 時(shí)為 300 伏),因此在上面的等式中,我們可以忽略 1 與以下更簡(jiǎn)單的形式進(jìn)行比較
.........(2)
反向偏置較小時(shí),反向電流隨反向偏置幅度的增加而增大。當(dāng)反向偏置幅度超過(guò)數(shù)倍
VT 時(shí),我們可能會(huì)忽略與 I 的比較,反向電流在值 IO 處變得穩(wěn)定。隨著反向電壓的進(jìn)一步增加,擊穿發(fā)生,然后反向電流在反向電壓 VZ 的幾乎恒定值下突然增加。
溫度取決于伏安特性
總反向飽和電流:
反向飽和電流的總值或?qū)崪y(cè)值,其中 I0 是反飽和電流的理論值,IR 是漏電反向電流分量。IR 與溫度無(wú)關(guān),而 I0 與溫度密切相關(guān)。
.......(3)
該方程給出 I0 作為 D n 、Dp 和 n i ^2^ 的函數(shù)。但是 n i ^2^ 取決于溫度,如下式所示
........(4)
電壓 VT 也與溫度 T 成正比。此外,Dp 和 Dn 取決于溫度 T.因此,對(duì) Ge 和 Si 二極管都有效的 I0 的一般表達(dá)式是,
..........(5)
其中 k 是常數(shù),m 是材料的常數(shù),qVG0 是以焦耳為單位的禁止能隙。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),Ge 和 Si 二極管的反向飽和電流以每攝氏度 7% 的速度增加。但是.因此,我們得出結(jié)論,溫度每升高 10^0^ C,總反向飽和電流就會(huì)增加一倍。
角質(zhì)電壓:
以下關(guān)系對(duì) Ge 和 Si 二極管都有效,
........(6)
因此,V 和 VV 隨著溫度的升高而降低,速率為 2.5 mV/deg C。雖然角極電壓VV和總反飽和電流隨溫度變化,但二極管整體V-I特性的形狀不隨溫度變化。
二極管電阻:
靜態(tài)二極管電阻 R
它是二極管電壓與二極管電流之比。隨著操作點(diǎn)的移動(dòng),它變化很大。它不構(gòu)成二極管的有用參數(shù)。
動(dòng)態(tài)或增量二極管電阻 r
它被定義為,
..........(7)
因此,二極管的動(dòng)態(tài)電阻是電流與電壓特性斜率的倒數(shù),是小信號(hào)操作的重要器件參數(shù)。然而,動(dòng)態(tài)二極管電阻r隨工作點(diǎn)而變化。
從,等式(1),
........(8)
對(duì)于大于零點(diǎn)幾伏特的反向偏置,并且為負(fù)。因此,極小的組合為統(tǒng)一,因此 r 非常大。
對(duì)于大于零點(diǎn)幾伏的正向偏置,
根據(jù)等式(1),I>>I0。然后從等式(8)開(kāi)始。
.........(9)
公式(9)表明,對(duì)于正向偏置,r與電流I成反比。
在室溫 (300 K) 下,VT = 0.026 伏。然后對(duì)于 ,
.......(10)
因此,對(duì)于
例1:在100^0^C溫度下工作的理想Ge二極管具有反飽和電流。在 100^0^C 時(shí),求出 0.1 伏偏置 (a) 正向和 (b)
反向偏置時(shí)二極管的動(dòng)態(tài)電阻。
溶液:
在 100^0^C 時(shí),t = 273 + 100 = 373^0^K,
因此
對(duì)于Ge,
因此
現(xiàn)在
對(duì)于 0.1 伏的正向偏置,
因此
對(duì)于 0.1 V 的反向偏置,
因此
二極管特性的分段線性近似
對(duì)于大型單次操作,通常使用PN二極管V-I特性的分段線性表示就足夠了。圖 2
顯示了分段線性近似。對(duì)于 V < V V ,電流以恒定斜率上升。在這個(gè)區(qū)域,二極管具有恒定的增量電阻。在這個(gè)正向偏置區(qū)域,該電阻 r 被指定為 R f ,稱為正向電阻。
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