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PN二極管的伏安特性詳解

科技觀察員 ? 來(lái)源:bestengineeringprojects ? 作者:bestengineeringprojec ? 2024-05-05 14:46 ? 次閱讀

PN二極管中的電流I與結(jié)電壓VV的關(guān)系由公式給出,

I = I_0 [e^{dfrac{V}{eta V_T}}-1]...........(1)

圖1給出了PN二極管的典型伏安特性,如上式所示。在正向偏置時(shí),正向電流基本保持為零,直到達(dá)到 t 二極管的所謂 Cutin 電壓 V V 。該切入電壓定義為正向電流小于二極管最大額定電流 1%的電壓。該切入電壓也稱為導(dǎo)通電壓或閾值電壓。角質(zhì)電壓隨半導(dǎo)體材料和制造方法而變化。通常,鍺二極管的切入電壓約為 0.2 伏,硅二極管約為 0.6伏。硅二極管中角值較高,主要是由于IO值較低。
1.png

從圖1中我們觀察到,在角切電壓之外,正向電流隨著正向電壓的增加而迅速增加。在正向電壓范圍內(nèi),施加的電壓遠(yuǎn)大于V T (0.026 K 時(shí)為 300 伏),因此在上面的等式中,我們可以忽略 1 與e^{dfrac{V}{eta V_T}}以下更簡(jiǎn)單的形式進(jìn)行比較

I = I_0 e^{dfrac{V}{eta V_T}}.........(2)

反向偏置較小時(shí),反向電流隨反向偏置幅度的增加而增大。當(dāng)反向偏置幅度超過(guò)數(shù)倍
VT 時(shí),我們可能會(huì)忽略e^{dfrac{V}{eta V_T}}與 I 的比較,反向電流在值 IO 處變得穩(wěn)定。隨著反向電壓的進(jìn)一步增加,擊穿發(fā)生,然后反向電流在反向電壓 VZ 的幾乎恒定值下突然增加。

溫度取決于伏安特性

總反向飽和電流:

反向飽和電流I_{ot} = (I_0 + I_R)的總值或?qū)崪y(cè)值,其中 I0 是反飽和電流的理論值,IR 是漏電反向電流分量。IR 與溫度無(wú)關(guān),而 I0 與溫度密切相關(guān)。

I_0 = Aq[dfrac{D_p}{L_pN_D} + dfrac{D_n}{L_nN_A}]n_i^2.......(3)

該方程給出 I0 作為 D n 、Dp 和 n i ^2^ 的函數(shù)。但是 n i ^2^ 取決于溫度,如下式所示

n_i^2 = A_O T^3 epsilon^{dfrac{-E_{GO}}{k_T}}........(4)

電壓 VT 也與溫度 T 成正比。此外,Dp 和 Dn 取決于溫度 T.因此,對(duì) Ge 和 Si 二極管都有效的 I0 的一般表達(dá)式是,

I_0 = k T^m e^{-dfrac{V_{G0}}{eta V_T}}..........(5)

其中 k 是常數(shù),m 是材料的常數(shù),qVG0 是以焦耳為單位的禁止能隙。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),Ge 和 Si 二極管的反向飽和電流I_{ot} = (I_0 + I_R)以每攝氏度 7% 的速度增加。但是1.07^{10} approx 2.0.因此,我們得出結(jié)論,溫度每升高 10^0^ C,總反向飽和電流就會(huì)增加一倍。

角質(zhì)電壓:

以下關(guān)系對(duì) Ge 和 Si 二極管都有效,

dfrac{dV}{dT} = -2.5 dfrac{mV}{deg C}........(6)

因此,V 和 VV 隨著溫度的升高而降低,速率為 2.5 mV/deg C。雖然角極電壓VV和總反飽和電流隨溫度變化,但二極管整體V-I特性的形狀不隨溫度變化。

二極管電阻

靜態(tài)二極管電阻 R

它是二極管電壓與二極管電流之比。隨著操作點(diǎn)的移動(dòng),它變化很大。它不構(gòu)成二極管的有用參數(shù)。

動(dòng)態(tài)或增量二極管電阻 r

它被定義為,

r = dfrac{dV}{dI}..........(7)

因此,二極管的動(dòng)態(tài)電阻是電流與電壓特性斜率的倒數(shù),是小信號(hào)操作的重要器件參數(shù)。然而,動(dòng)態(tài)二極管電阻r隨工作點(diǎn)而變化。

從,等式(1),

r = dfrac{dV}{dI} = dfrac{eta V_T}{I_0 e^{dfrac{V}{eta V_T}}} = dfrac{eta V_T}{1 + I_0}........(8)

對(duì)于大于零點(diǎn)幾伏特的反向偏置,|dfrac{V}{eta V_T}|>>1并且為負(fù)。因此,e^{dfrac{V}{V_T}}極小的組合為統(tǒng)一,因此 r 非常大。

對(duì)于大于零點(diǎn)幾伏的正向偏置,

|dfrac{V}{eta V_T}|>1根據(jù)等式(1),I>>I0。然后從等式(8)開(kāi)始。

r approx dfrac{eta V_T}{I}.........(9)

公式(9)表明,對(duì)于正向偏置,r與電流I成反比。

在室溫 (300 K) 下,VT = 0.026 伏。然后對(duì)于 eta = 1

r(ohms) = dfrac{26}{I(mA)}.......(10)

因此,對(duì)于I = 26 mA, r = 1Omega

例1:在100^0^C溫度下工作的理想Ge二極管具有反飽和電流I_0 = 20 mu A。在 100^0^C 時(shí),求出 0.1 伏偏置 (a) 正向和 (b)
反向偏置時(shí)二極管的動(dòng)態(tài)電阻。

溶液:

在 100^0^C 時(shí),t = 273 + 100 = 373^0^K,

因此V_T = dfrac{373}{11600} = 0.0321 volt

對(duì)于Ge,eta = 1

因此I = I_0(e^{dfrac{V}{V_T}}-1)

現(xiàn)在g = dfrac{1}{r} = dfrac{dI}{dV} = dfrac{I_{0(100)} e^{dfrac{V}{V_T}}}{V_T}

對(duì)于 0.1 伏的正向偏置,

因此r = dfrac{1}{g} = dfrac{1}{0.014} = 71.4 Omega

對(duì)于 0.1 V 的反向偏置,

g = dfrac{20 times 10^{-6}}{0.0321}e^{dfrac{-0.1}{0.0321}} = 24.9 times 10^{-6}S

因此r = dfrac{10^6}{24.9}Omega = 36 kOmega

二極管特性的分段線性近似

PN二極管特性的分段線性近似

對(duì)于大型單次操作,通常使用PN二極管V-I特性的分段線性表示就足夠了。圖 2
顯示了分段線性近似。對(duì)于 V < V V ,電流以恒定斜率上升。在這個(gè)區(qū)域,二極管具有恒定的增量電阻r = dfrac{dI}{dV}。在這個(gè)正向偏置區(qū)域,該電阻 r 被指定為 R f ,稱為正向電阻。

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