4 月 19 日,韓國 SK 海力士發(fā)布聲明,已與中國臺(tái)灣地區(qū)的臺(tái)積電簽署諒解備忘錄(MOU),共同推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)的下一代研發(fā)及封裝應(yīng)用。預(yù)計(jì)于 2026 年實(shí)現(xiàn) HBM4 的量產(chǎn)。
據(jù)協(xié)議內(nèi)容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片(Base Die)性能。HBM 由多個(gè) DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎(chǔ)裸片之上,再經(jīng)由 TSV 技術(shù)進(jìn)行垂直互連,基礎(chǔ)裸片同時(shí)連接到 GPU,其重要性不言而喻。
自 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK 海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯(Logic)工藝。
據(jù)悉,雙方將密切合作,探索利用臺(tái)積電的 CoWoS 技術(shù)封裝 SK 海力士的 HBM 產(chǎn)品,以期在性能和效率等方面更好地滿足客戶對(duì)定制化(Customized)HBM 產(chǎn)品的需求。
今年 2 月,SK 海力士提出“One Team”戰(zhàn)略,計(jì)劃借助臺(tái)積電構(gòu)建 AI 半導(dǎo)體聯(lián)盟,進(jìn)一步強(qiáng)化其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
展望未來,AI 半導(dǎo)體將從 HBM 時(shí)代的 2.5D 封裝邁向 3D 堆疊邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片的新型高級(jí)封裝。存儲(chǔ)企業(yè)與芯片代工+高級(jí)封裝企業(yè)的深度合作有助于推動(dòng)相關(guān)研發(fā)進(jìn)程。
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