華潤微電子兩項(xiàng)產(chǎn)品入選中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產(chǎn)品手冊

在探索創(chuàng)新與未來的征程中

公司深入實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略

積極構(gòu)建科技藍(lán)海新圖景

加快推動科技創(chuàng)新成果應(yīng)用推廣

培育發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力新動能

近期，國務(wù)院國資委發(fā)布

《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果

產(chǎn)品手冊（2023年版）》

華潤微“SiC JBS器件及系列化產(chǎn)品”

“SiC MOSFET器件及系列化產(chǎn)品”

兩項(xiàng)成果入選電子元器件領(lǐng)域科技創(chuàng)新成果

更高 更快 更強(qiáng)

華潤微電子一直在奔跑

SiC產(chǎn)品碩果累累

汽車電子賽道狂飆

SiC在電動車輛和混合動力汽車的功率電子系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用，可以在更高的電壓和溫度下工作，而且效率更高，散熱更好。隨著電動車和混合動力車的需求增加，SiC產(chǎn)品的市場需求仍在增加。

華潤微電子作為IDM半導(dǎo)體龍頭企業(yè)，早在多年前就布局了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，基于自身Si基器件設(shè)計(jì)、制造和銷售等資源優(yōu)勢，建設(shè)了國內(nèi)第一條6吋SiC生產(chǎn)線。對比傳統(tǒng)Si基器件，SiC器件具備更高的耐壓水平，更低的漏電流，近乎為“零”的優(yōu)秀反向恢復(fù)，以及更高的禁帶寬度及高熱導(dǎo)率特性，可以在更高工作頻率及更高結(jié)溫環(huán)境下工作。此次入選的兩項(xiàng)科技成果，正是華潤微電子近年來潛心布局第三代半導(dǎo)體市場的成果，也將助力公司在汽車電子賽道強(qiáng)勢發(fā)力。

SiC JBS器件及系列化產(chǎn)品

華潤微電子G2 SiC JBS平臺是完全自主開發(fā)的工藝平臺，通過技術(shù)迭代更新，配合超薄的SiC襯底，Vf典型值較前一代降低10%，電流密度也大幅提升。同時(shí)搭配特色的鈍化和劃片技術(shù)，產(chǎn)品可靠性可滿足工業(yè)及汽車電子應(yīng)用可靠性要求。目前G2平臺系列產(chǎn)品在浪涌能力相同的情況下，反向耐壓、正向?qū)ㄌ匦缘犬a(chǎn)品性能，均已達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。目前該系列產(chǎn)品已經(jīng)在新能源汽車、充電樁、光伏逆變、高端電源等領(lǐng)域批量應(yīng)用。

最新推出的G3 SiC JBS平臺，進(jìn)一步對電場設(shè)計(jì)和制造工藝進(jìn)行了優(yōu)化升級，較G2平臺的電流密度實(shí)現(xiàn)巨大飛躍，可對標(biāo)國際頭部企業(yè)，已經(jīng)在多家客戶端測試導(dǎo)入，并逐步開始量產(chǎn)。

應(yīng)用場景

SiCMOSFET器件及系列化產(chǎn)品

華潤微電子SiC MOSFET G2產(chǎn)品平臺通過工藝迭代更新，大大降低了Rdson電阻，同時(shí)提高了器件工作可靠性。目前該系列產(chǎn)品在耐壓能力、導(dǎo)通特性、短路及浪涌能力等方面，與國際頭部企業(yè)技術(shù)產(chǎn)品難分高下，產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)的水平。目前該系列產(chǎn)品已經(jīng)在新能源汽車、充電樁、光伏逆變、高端電源等多領(lǐng)域穩(wěn)定量產(chǎn)使用,特別是在新能源汽車頭部客戶，SiC MOSFET單管和半橋模塊均實(shí)現(xiàn)批量供貨，得到客戶的高度認(rèn)可和好評。

應(yīng)用場景

擁抱科技創(chuàng)新

奔赴汽車時(shí)代

未來，華潤微電子將在科技創(chuàng)新之路上持續(xù)深耕，積極打造行業(yè)一流的科技創(chuàng)新體系，聚焦市場需求和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，穩(wěn)步推進(jìn)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，謀劃戰(zhàn)新和未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展，不斷推動產(chǎn)品應(yīng)用升級，讓更多優(yōu)質(zhì)創(chuàng)新成果落地，加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，為半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量協(xié)同發(fā)展注入強(qiáng)勁動能。

審核編輯：劉清