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華太推出首款高功率高耐壓射頻功放器件—HTH8G02P1K4H(B)

華太電子 ? 來源:華太電子 ? 2024-04-10 15:01 ? 次閱讀

在當(dāng)今社會,射頻RF)技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用已經(jīng)深入到我們?nèi)粘I畹姆椒矫婷?,尤其是在工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)領(lǐng)域中,射頻器件的應(yīng)用促進(jìn)了這些領(lǐng)域技術(shù)的飛速發(fā)展。從加速日常物品的生產(chǎn)過程到提升醫(yī)療診療的效率和安全性,再到推動科學(xué)研究的邊界,射頻技術(shù)在背后發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

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ISM系統(tǒng)解決方案涵蓋了數(shù)千種不同的應(yīng)用,這些應(yīng)用的操作頻率范圍廣泛,通常從直流(DC)延伸至600MHz,覆蓋了從高頻(HF)到甚高頻(VHF)乃至超高頻(UHF)的頻段。在這些多樣的ISM應(yīng)用中,由于時間、材料變化和不同的處理過程,負(fù)載往往呈現(xiàn)出高度的可變性。這種可變性要求RF功率放大器(RFPA)必須具備極端條件下的高度魯棒性,以應(yīng)對各種挑戰(zhàn)性的工作環(huán)境。

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在射頻功率LDMOS技術(shù)中,更高的供電電壓使得解決方案制造者能夠通過較少的元件組合達(dá)到更高的功率水平,從而提高整個系統(tǒng)的效率、降低成本和減小尺寸。隨著工作電壓提高輸出功率更大,晶體管的阻抗變得更小,這對于器件的設(shè)計能力提出了更高的要求。華太目前掌握了從半導(dǎo)體工藝、器件、芯片、封裝結(jié)構(gòu)再到放大器模組的整體方案設(shè)計能力,為終端客戶提供快速、高性能、高可靠的解決方案。

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HTH8G02P1K4H(B)是華太推出的首款高功率高耐壓射頻功放器件,專為高失配電壓駐波比(VSWR)條件下的使用而設(shè)計,通常用于工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)應(yīng)用。器件輸入/輸出均是unmatch設(shè)計支持1.8到200MHz的頻率使用。該器件提供了>78%的典型效率和>27dB的高增益,具體增益根據(jù)工作頻帶的寬窄有一定的差異。與其30W驅(qū)動放大器HTH7G14S030HB結(jié)合使用時,整體解決方案提供了優(yōu)異的性能,且成本頗具競爭力。

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50V和65VLDMOS產(chǎn)品系列

高擊穿電壓

增強(qiáng)魯棒性設(shè)計

適用于單端或Push-Pull架構(gòu)等多種形式

高功率高效率高可靠性

內(nèi)部集成的增強(qiáng)ESD設(shè)計

優(yōu)異的熱穩(wěn)定性

符合RoHS規(guī)范

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審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:華太大功率功放管產(chǎn)品傾力賦能ISM應(yīng)用市場

文章出處:【微信號:華太電子,微信公眾號:華太電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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