0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

光刻膠技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)共性難題解決新方向

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-02 14:36 ? 次閱讀

根據(jù)湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室發(fā)布,光刻膠作為半導(dǎo)體制造的重要材料,其質(zhì)量與性能直接決定了集成電路的電磁性質(zhì)、成品率以及可靠性。然而,由于光刻膠技術(shù)要求較高,市場(chǎng)上能滿足各種生產(chǎn)條件且性能穩(wěn)定的產(chǎn)品寥寥無幾。

隨著半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點(diǎn)不斷發(fā)展至100納米甚至更小的10納米級(jí)別,如何制作出尺寸精度高、表面特征優(yōu)秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個(gè)行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。

為了解決上述難題,九峰山實(shí)驗(yàn)室與華中科技大學(xué)聯(lián)合組建科研團(tuán)隊(duì),成功攻克了“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。

這項(xiàng)研究基于獨(dú)特的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),采用兩種特定的光敏感單元制備出了光刻膠,所得圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)秀,space圖案寬度標(biāo)準(zhǔn)差達(dá)到最低水平(約為0.05),優(yōu)于多數(shù)商用光刻膠,而且在光刻顯影各個(gè)環(huán)節(jié)中的操作時(shí)間均符合半導(dǎo)體生產(chǎn)對(duì)于生產(chǎn)效率的嚴(yán)格要求。

此次科研成果有可能為光刻制造領(lǐng)域提供新的思路,同時(shí)也為EUV光刻膠的研發(fā)奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。該研究論文題為“Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists”,于2024年2月15日在國際頂尖期刊Chemical Engineering Journal(IF=15.1)發(fā)表。

該研究獲得了國家自然科學(xué)基金與973計(jì)劃的資金支持,來自華中科技大學(xué)光電國家研究中心的朱明強(qiáng)教授為第一作者,湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室工藝中心的柳俊教授和向詩力博士等參與撰稿。

在此次研究過程中,他們將這項(xiàng)擁有獨(dú)立版權(quán)的光刻膠系統(tǒng)在生產(chǎn)線進(jìn)行了全方位的工藝驗(yàn)證,并且對(duì)各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了細(xì)致優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從技術(shù)創(chuàng)新到實(shí)際應(yīng)用的全過程。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    411

    瀏覽量

    24093
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    607

    瀏覽量

    86074
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    321

    瀏覽量

    30292
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    光刻膠清洗去除方法

    光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時(shí)的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會(huì)導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
    的頭像 發(fā)表于 11-11 17:06 ?593次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>清洗去除方法

    一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場(chǎng)前景展望

    光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著
    的頭像 發(fā)表于 11-11 10:08 ?566次閱讀
    一文解讀<b class='flag-5'>光刻膠</b>的原理、應(yīng)用及市場(chǎng)前景展望

    一文看懂光刻膠的堅(jiān)膜工藝及物理特性和常見光刻膠

    共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號(hào)也可以查看這篇文章:收藏!常用光刻膠型號(hào)資料大全,幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球,領(lǐng)取公眾號(hào)資料
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?1004次閱讀

    光刻膠的使用過程與原理

    本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
    的頭像 發(fā)表于 10-31 15:59 ?472次閱讀

    如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠

    在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘臺(tái)或者烤設(shè)備對(duì)SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡(jiǎn)要介紹SU-8
    的頭像 發(fā)表于 08-27 15:54 ?322次閱讀

    如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠

    ? 基底上SU-8光刻膠的圖層可以通過若干種技術(shù)來完成。最常用的技術(shù)是旋涂技術(shù),該技術(shù)是在旋轉(zhuǎn)的基底上放置一小灘SU-8
    的頭像 發(fā)表于 08-26 14:16 ?367次閱讀

    導(dǎo)致光刻膠變色的原因有哪些?

    存儲(chǔ)時(shí)間 正和圖形反轉(zhuǎn)在存儲(chǔ)數(shù)月后會(huì)變暗,而且隨著儲(chǔ)存溫度升高而加速。因?yàn)樵擃愋?b class='flag-5'>光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料,在 可見光譜的部分具有很強(qiáng)的吸收能力,對(duì)紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
    的頭像 發(fā)表于 07-11 16:07 ?616次閱讀

    光刻膠的硬烘烤技術(shù)

    根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝,我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽?duì)已顯影的光刻膠結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實(shí)現(xiàn)整個(gè)光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián),稱為硬烘烤或者堅(jiān)膜?;蛲ㄟ^低劑量紫外線輻照
    的頭像 發(fā)表于 07-10 13:46 ?1003次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的硬烘烤<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    光刻膠的一般特性介紹

    評(píng)價(jià)一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高,所
    的頭像 發(fā)表于 07-10 13:43 ?759次閱讀

    光刻膠后烘技術(shù)

    后烘是指(post exposure bake-PEB)是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影,也就是說還未閉合,PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進(jìn)行。前面的文章中我們?cè)?/div>
    的頭像 發(fā)表于 07-09 16:08 ?1536次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>后烘<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    光刻膠的圖形反轉(zhuǎn)工藝

    圖形反轉(zhuǎn)是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當(dāng)正使用又可以作為負(fù)使用。相比而言,負(fù)工藝更被人們所熟知。本文重點(diǎn)介紹其負(fù)
    的頭像 發(fā)表于 07-09 16:06 ?710次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的圖形反轉(zhuǎn)工藝

    光刻膠的保存和老化失效

    我們?cè)谑褂?b class='flag-5'>光刻膠的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能,但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實(shí)這個(gè)問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且,在
    的頭像 發(fā)表于 07-08 14:57 ?1126次閱讀

    關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

    與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?;诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:36 ?2664次閱讀
    關(guān)于<b class='flag-5'>光刻膠</b>的關(guān)鍵參數(shù)介紹

    光刻膠光刻機(jī)的區(qū)別

    光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:19 ?4827次閱讀

    如何在芯片中減少光刻膠的使用量

    光刻膠不能太厚或太薄,需要按制程需求來定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景,較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 10:49 ?740次閱讀
    如何在芯片中減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>的使用量