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兩個(gè)PMOS管背靠背連接,是串聯(lián)還是并聯(lián)?

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2024-03-27 15:33 ? 次閱讀

兩個(gè)PMOS管背靠背連接,是串聯(lián)還是并聯(lián)?

串聯(lián)指的是將電子元件按照一定的順序連接起來,電流通過這些元件時(shí)需要逐個(gè)經(jīng)過。而并聯(lián)則是將電子元件同時(shí)連接到一個(gè)節(jié)點(diǎn)上,電流選擇其中一個(gè)分支通過。對(duì)于兩個(gè)PMOS管背靠背連接的情況,我們需要看具體的電路設(shè)計(jì)來確定是串聯(lián)還是并聯(lián)。

PMOS管是一種壓控型的場(chǎng)效應(yīng)管,其導(dǎo)通溝道中的電流由門極-源極電壓(Vgs)決定。當(dāng)Vgs小于閾值電壓時(shí),PMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)Vgs大于閾值電壓時(shí),PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)兩個(gè)PMOS管背靠背連接時(shí),我們需要考慮這兩個(gè)管子之間的電流流動(dòng)情況。

如果這兩個(gè)PMOS管背靠背連接的柵極(Gate)相連,那么它們就是串聯(lián)連接。因?yàn)檫@樣的連接方式使得兩個(gè)PMOS管的柵極電壓相同,它們將共享一個(gè)控制輸入信號(hào)。這種串聯(lián)連接的最常見應(yīng)用是級(jí)聯(lián)放大器電路中的差分對(duì)。

另一種情況是,如果這兩個(gè)PMOS管背靠背連接的源極(Source)相連,那么它們就是并聯(lián)連接。因?yàn)檫@樣的連接方式使得兩個(gè)PMOS管的源極電壓相同,它們將共享一個(gè)電流源。這種并聯(lián)連接常用于電流鏡電路或電流源設(shè)計(jì)中。

總的來說,串聯(lián)和并聯(lián)是描述元件之間連接方式的概念,對(duì)于兩個(gè)PMOS管背靠背連接的情況,需要具體考慮其柵極或者源極之間的連接方式來確定是串聯(lián)還是并聯(lián)。以上是對(duì)這兩種情況的簡(jiǎn)要介紹,接下來將詳細(xì)討論這兩種情況的工作原理、特性和應(yīng)用。

首先,我們來討論串聯(lián)連接的情況。當(dāng)兩個(gè)PMOS管的柵極相連時(shí),它們共享一個(gè)控制輸入信號(hào)。當(dāng)輸入信號(hào)施加在這個(gè)共享的柵極上時(shí),兩個(gè)PMOS管都將受到相同的控制電壓。這種串聯(lián)連接方式在差分對(duì)電路中被廣泛應(yīng)用,差分對(duì)電路是放大器電路中非常重要的一部分。差分對(duì)電路可以將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)化為差分輸出信號(hào),并且具有抗共模干擾的能力,提高了放大器的性能。

在差分對(duì)電路中,兩個(gè)PMOS管的源極連接到一個(gè)共同的直流電壓源上,這個(gè)直流電壓源提供了一個(gè)恒定的偏置電壓,使得差分對(duì)工作在合適的工作區(qū)間。當(dāng)輸入信號(hào)施加在共享的柵極上時(shí),兩個(gè)PMOS管的源極電流也會(huì)得到相應(yīng)地調(diào)節(jié),從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。

與串聯(lián)連接相對(duì)應(yīng)的,并聯(lián)連接的情況是,當(dāng)兩個(gè)PMOS管的源極相連時(shí),它們共享一個(gè)電流源。這種并聯(lián)連接常用于電流源電路的設(shè)計(jì)中。電流源是電子電路中非常重要的電路組件,它可以提供一個(gè)恒定的電流,保證電路的穩(wěn)定運(yùn)作。

在并聯(lián)連接的電流源電路中,兩個(gè)PMOS管的源極連接到一個(gè)共同的電流源上,這個(gè)電流源提供一個(gè)恒定的電流。兩個(gè)PMOS管的柵極被分別連接到恒壓源和信號(hào)源,通過調(diào)節(jié)這兩個(gè)輸入信號(hào),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電流源電流的控制。這種并聯(lián)連接的電流源電路常用于放大電路中,為放大電路提供恒定的偏置電流。

綜上所述,兩個(gè)PMOS管背靠背連接既可以是串聯(lián)也可以是并聯(lián),具體取決于它們的連接方式和相互之間的關(guān)系。串聯(lián)連接常用于差分對(duì)電路中,用于信號(hào)放大和抗共模干擾;并聯(lián)連接常用于電流源設(shè)計(jì)中,用于提供恒定的電流。這些電路設(shè)計(jì)可以大大提高電路性能和穩(wěn)定性。

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