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美國(guó)公布3D半導(dǎo)體路線圖

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2024-03-25 17:32 ? 次閱讀

日前,美國(guó)半導(dǎo)體研究公司(SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION,簡(jiǎn)稱SRC)公布了微電子和先進(jìn)封裝(MAPT)路線圖,該路線圖由來(lái)自工業(yè)、學(xué)術(shù)界和政府的112個(gè)組織的約300名個(gè)人共同努力制定。

MAPT路線圖定義了關(guān)鍵的研究重點(diǎn)和必須解決的技術(shù)挑戰(zhàn),以支持2021年1月發(fā)布的“半導(dǎo)體十年計(jì)劃”中概述的重大轉(zhuǎn)變。MAPT路線圖可在https://srcmapt.org/網(wǎng)站上獲得,這是行業(yè)范圍內(nèi)的第一個(gè)3D半導(dǎo)體路線圖,用于指導(dǎo)即將到來(lái)的微電子革命。

MAPT路線圖的制定工作于2022年4月由美國(guó)商務(wù)部國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院(NIST)資助,SRC被選為這項(xiàng)工作的領(lǐng)導(dǎo)者。SRC首席科學(xué)家兼MAPT路線圖主任Victor Zhirnov博士表示:“如此廣泛的科學(xué)家、工程師和研究人員為MAPT路線圖的開(kāi)發(fā)和制定所做的貢獻(xiàn)和努力,表明了這項(xiàng)工作的重要性?!?/p>

不斷縮小的元器件和組件正面臨根本的物理極限,如果沒(méi)有重大進(jìn)步,下一代突破是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。SRC和美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布的2030年“半導(dǎo)體十年計(jì)劃”指出了與智能傳感、內(nèi)存與存儲(chǔ)、通信、安全和節(jié)能計(jì)算相關(guān)的行業(yè)五大巨變。從設(shè)計(jì)上講,該十年計(jì)劃不是具體的解決方案;它明確了未來(lái)需要什么,而不是如何實(shí)現(xiàn)和完成它。

MAPT路線圖的制定,全面考慮了信息通信技術(shù)可持續(xù)性(包括能源可持續(xù)性、環(huán)境可持續(xù)性和勞動(dòng)力可持續(xù)性)的基本和實(shí)際限制,在“半導(dǎo)體十年計(jì)劃”基礎(chǔ)上討論了如何實(shí)現(xiàn)其系統(tǒng)級(jí)目標(biāo),概述了半導(dǎo)體行業(yè)的實(shí)施計(jì)劃。MAPT路線圖的基礎(chǔ)研究主要集中在先進(jìn)封裝、3D集成、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、納米級(jí)制造、新材料和節(jié)能計(jì)算上。

審核編輯 黃宇

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