高性能模擬芯片與嵌入式處理器
領(lǐng)先的模擬芯片和嵌入式處理器的產(chǎn)品與方案供應(yīng)商思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)正式推出全新精密電阻陣列——TPR860x系列。TPR860x系列是一款四電阻匹配的電阻陣列,電阻匹配性能表現(xiàn)優(yōu)異,兼有極低的溫漂,可滿足工業(yè)控制、精密測(cè)量和儀器儀表等終端產(chǎn)品對(duì)于電壓、電流信號(hào)采集的需求。
TPR860x產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
TPR860x系列集成了四個(gè)獨(dú)立電阻,專為滿足多個(gè)電阻阻值精確匹配的應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)。電阻陣列搭配高精度運(yùn)放可實(shí)現(xiàn)增益倍數(shù)的精確設(shè)置,從而達(dá)到信號(hào)的精確采集。TPR860x的典型應(yīng)用電路圖如下:
TPR860x的典型應(yīng)用圖
在上述應(yīng)用電路中,電阻陣列在系統(tǒng)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用,主要體現(xiàn)在:系統(tǒng)全溫下的增益精度、系統(tǒng)全溫下的共模抑制比。
系統(tǒng)全溫下的增益精度
電阻匹配比例和匹配比例溫漂是影響系統(tǒng)全溫范圍下的增益精度的關(guān)鍵因素。若選用匹配比例為1%的電阻陣列,則整個(gè)系統(tǒng)的分辨率將被限制在7bit以內(nèi)。在高精度的應(yīng)用中,需要采取校準(zhǔn)措施以減小這些影響,但全溫范圍的校準(zhǔn)成本高昂且難以實(shí)現(xiàn),只能在常溫下進(jìn)行校準(zhǔn)。因此,匹配比例的溫漂至關(guān)重要。
為此,TPR860x系列提供了常溫下匹配比例誤差最大為±0.01%(TPR8601A),在-40°C 至 125°C溫度范圍內(nèi)溫漂典型值僅為0.1ppm/°C,最大值為1ppm/°C的出色性能表現(xiàn),匹配比例溫漂分布圖如下圖所示:
TPR860X匹配比例溫漂分布圖
系統(tǒng)全溫下的共模抑制比
電阻陣列共模抑制比匹配度和溫漂對(duì)系統(tǒng)全溫范圍內(nèi)的共模抑制比具有關(guān)鍵影響。對(duì)于共模信號(hào)范圍較大的應(yīng)用場(chǎng)景,共模抑制比(CMRR)至關(guān)重要。電阻陣列匹配的失調(diào)會(huì)導(dǎo)致共模信號(hào)轉(zhuǎn)換為差模信號(hào),從而引入干擾。
電阻陣列影響共模抑制比的匹配度定義為:
僅考慮電阻陣列時(shí)的共模抑制比為:
采用四個(gè)相同阻值、匹配比例為±1%的電阻,在常溫下只能保證40dB的共模抑制比。常溫下通過校準(zhǔn),可以消除誤差,但高低溫下校準(zhǔn)的成本高昂,實(shí)現(xiàn)較為困難。而TPR860x系列在四個(gè)電阻之間均匹配,并在影響共模抑制比的匹配度和溫漂性能上表現(xiàn)出色。在全溫范圍下(-40°C至125°C),TPR8601A的最大偏差僅為±0.005%,溫漂典型值為0.1ppm/°C,最大值為1ppm/°C。分布圖可見下圖:
TPR860X影響共模抑制比的匹配度溫漂分布圖
我們通過構(gòu)建Gain=1的差分放大系統(tǒng),利用三種性能不同的電阻陣列,探究評(píng)估了電阻陣列對(duì)系統(tǒng)增益精度和共模抑制比等性能指標(biāo)的影響。通過評(píng)估發(fā)現(xiàn),TPR860x系列在全溫范圍下表現(xiàn)良好可靠,可滿足在精密測(cè)量領(lǐng)域中對(duì)系統(tǒng)增益精度和共模抑制比的高要求。
不同性能參數(shù)的電阻陣列對(duì)系統(tǒng)的影響對(duì)比
TPR860x產(chǎn)品性能
匹配性能:
TPR8601A: 0.0125% Matching at ?40°C to +125°C
TPR8600/1/2: 0.025% Matching at ?40°C to +125°C
TPR8603: 0.03% Matching at ?40°C to +125°C
匹配溫漂:0.1ppm/°C(Typ), 1ppm/°C(Max)
工作耐壓范圍: -60 V to +60V
工作溫度范圍: ?40°C to 125°C
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:±0.01%匹配精度,±1ppm/°C匹配溫漂!思瑞浦發(fā)布精密電阻陣列TPR860x系列
文章出處:【微信號(hào):IC-3PEAK,微信公眾號(hào):3PEAK思瑞浦】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
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