MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤（SSD）可延長壽命

固態(tài)硬盤（SSD）主要由控制器、DRAM和NAND Flash構(gòu)成，存在異常掉電而丟失數(shù)據(jù)等問題，通常需要配備電容和電源故障檢測(cè)模塊。如下圖所示，該技術(shù)方案將Write Buffer和FTL Changes保存在MRAM中，可顯著減少SSD對(duì)電容數(shù)量的需求。

此外，SSD的隨機(jī)寫工作模式加劇了WA（Write Amplification）問題，嚴(yán)重影響SSD的擦寫壽命。如下圖所示，小塊數(shù)據(jù)被緩存在MRAM的Write Buffer中，經(jīng)過合并重組等操作，以順序方式寫入NAND Flash。該技術(shù)方案減輕了WA問題，降低了隨機(jī)寫操作對(duì)SSD的壽命影響。

SSD原理框圖

國芯思辰MRAMHS4MANSQ1A-DS1非常適用于需要極高數(shù)據(jù)可靠性的應(yīng)用，其容量為4Mbit，支持SPI/QPI(串行單線/四線接口)模數(shù)。芯片可配置為1位I/O獨(dú)立接口或4位I/O通用接口，SOP8封裝，可以保證SSD長期穩(wěn)定的運(yùn)行。

HS4MANSQ1A-DS1封裝圖

此外，MRAMHS4MANSQ1A-DS1單一電源VCC僅3.3V，待機(jī)電流只有2mA，休眠電流僅有2μA，可以很好的節(jié)省SSD運(yùn)行器件的電量消耗。從耐久度上來看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留10年以上，85℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留20年以上，性能完全足夠SSD的應(yīng)用。

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