長(zhǎng)城汽車(chē)與意法半導(dǎo)體簽署SiC芯片供銷(xiāo)戰(zhàn)略，助推新能源發(fā)展

據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)城汽車(chē)宣布已與意法半導(dǎo)體在深圳達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，此舉旨在保障SiC芯片的穩(wěn)定供應(yīng)，以應(yīng)對(duì)新能源汽車(chē)的高壓需求。

當(dāng)前，隨著消費(fèi)者對(duì)汽車(chē)性能要求的提高，以及節(jié)能減排政策的推行，新能源汽車(chē)正逐步從400V向800V高壓平臺(tái)轉(zhuǎn)變。

而SiC芯片因在耐壓性、高結(jié)溫方面具有優(yōu)秀表現(xiàn)，被廣泛應(yīng)用在電驅(qū)逆變器、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電（OBC）及直流-直流變換器（DC-DC）等核心組件上。

長(zhǎng)城汽車(chē)強(qiáng)調(diào)，此次與意法半導(dǎo)體首次就SiC芯片展開(kāi)深度合作，是其加強(qiáng)縱向整合、加速發(fā)展新能源業(yè)務(wù)的重要舉措。

值得注意的是，意法半導(dǎo)體在去年12月也曾與理想汽車(chē)簽訂一份長(zhǎng)期供貨協(xié)議，有意向理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET以支持其向高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的擴(kuò)張計(jì)劃。

這其中包括了理想汽車(chē)所使用的800V高壓純電平臺(tái)，該平臺(tái)在電驅(qū)逆變器中納入了意法半導(dǎo)體的1200V SiC MOSFET第三代技術(shù)。