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Ansys和英特爾代工合作開發(fā)多物理場(chǎng)簽核解決方案

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-11 11:24 ? 次閱讀

Ansys攜手英特爾代工,共同打造2.5D芯片先進(jìn)封裝技術(shù)的多物理場(chǎng)簽核解決方案。此次合作,將借助Ansys的高精度仿真技術(shù),為英特爾的創(chuàng)新型2.5D芯片提供強(qiáng)大支持,該芯片采用EMIB技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片間的靈活互連,摒棄了傳統(tǒng)的硅通孔(TSV)方式。

通過這種合作,Ansys為人工智能AI)、高性能計(jì)算、自動(dòng)駕駛以及圖形處理等前沿領(lǐng)域提供的先進(jìn)芯片系統(tǒng),將擁有更快的運(yùn)行速度、更低的功耗和更高的可靠性。這一進(jìn)步不僅提升了芯片的性能,也滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)效率和穩(wěn)定性的日益增長(zhǎng)的需求。

在技術(shù)支持方面,Ansys的Redhawk-SC Electrothermal電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)平臺(tái)發(fā)揮了關(guān)鍵作用。這款平臺(tái)專為2.5D和3D-IC設(shè)計(jì),支持多物理場(chǎng)分析,能夠?qū)Π鄠€(gè)芯片的復(fù)雜系統(tǒng)進(jìn)行精確模擬。特別是在處理各向異性熱傳導(dǎo)分析方面,它展現(xiàn)出了卓越的性能,這對(duì)于英特爾的新型背面供電技術(shù)來說至關(guān)重要。

此外,Redhawk-SC Electrothermal還能有效應(yīng)對(duì)熱梯度導(dǎo)致的機(jī)械應(yīng)力和翹曲問題,這些問題可能會(huì)隨著時(shí)間的推移影響產(chǎn)品的可靠性。通過芯片與封裝的協(xié)同仿真,該平臺(tái)還可以驗(yàn)證電源完整性,確保整個(gè)系統(tǒng)級(jí)環(huán)境的精度和穩(wěn)定性。

這一合作不僅展示了Ansys在仿真技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也凸顯了英特爾在芯片創(chuàng)新方面的決心。雙方攜手,共同推動(dòng)芯片技術(shù)的進(jìn)步,為未來的科技發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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