Micro LED又一重大突破：光效率高達53%，克服耐用性挑戰(zhàn)

WitDisplay消息，漢陽大學于3月7日宣布，漢陽大學納米光電子學系ERICA教授Jong-in Shim和Dong-soo Shin教授、ZOGAN Semi的Woong-ryeol Ryu博士和韓國化學工業(yè)大學的Jong-hyeop Baek博士組成的團隊韓國光子學與技術(shù)研究所的光學半導體顯示研究部門開發(fā)出技術(shù)來克服超細 Micro LED 光效率和耐用性的挑戰(zhàn)。

通過這項研究，研究團隊同時解決了開發(fā)超高分辨率Micro LED顯示器的最大挑戰(zhàn)：20μm以下的超細氮化物半導體LED芯片出現(xiàn)的低功率轉(zhuǎn)換效率以及性能顯著惡化的耐用性問題隨著駕駛時間的增加。

通過引入非接觸式光致發(fā)光和拉曼光譜分析技術(shù)，研究團隊確定Micro LED芯片的技術(shù)問題是由刻蝕壁上出現(xiàn)的缺陷電荷與外延層應力之間的相互作用引起的。在這項研究中，通過在氮化物半導體上外延生長氧化物半導體，可以控制外延應變，使其與蝕刻壁上的缺陷電荷量無關，而蝕刻壁對工藝或操作條件敏感。

團隊開發(fā)的直徑為20μm和10μm的藍光Micro LED為水平芯片單封裝，經(jīng)認可測試實驗室測得的外量子效率（EQE）分別高達53%和45%，即使在1A/cm2的低電流范圍，展現(xiàn)了世界上最好的品質(zhì)。（圖1）。此外，即使在沒有散熱的加速耐久性測試（100A/cm2，超過20小時）中，也證實了優(yōu)異的穩(wěn)定性，性能也沒有變化。（圖2）。

Jong-in Shim表示：“通過這項新開發(fā)的技術(shù)，我們不僅重新建立了作為下一代顯示器的核心半導體元件而備受關注的Micro LED的工作原理，而且還展示了世界一流的技術(shù)，我認為這將為確保國際競爭力做出重大貢獻?！?/p>

這項研究是在韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部國家標準技術(shù)改進項目、光融合產(chǎn)業(yè)全球競爭力強化項目和超大型模塊化顯示技術(shù)開發(fā)項目的支持下進行的。

審核編輯：劉清