0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星計劃利用英偉達AI技術提升芯片良率

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-03-08 13:59 ? 次閱讀

半導體市場的激烈競爭中,三星電子正尋求新的突破以縮小與競爭對手臺積電的差距。據(jù)EToday的最新報告顯示,三星決定采納英偉達的先進“數(shù)字孿生”技術,以提升芯片生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。

此項戰(zhàn)略舉措無疑是對市場需求和技術發(fā)展趨勢的積極響應。通過引入英偉達的尖端技術,三星有望在生產(chǎn)過程中實現(xiàn)更高的精度和穩(wěn)定性,進而提升芯片的良品率。這不僅有助于三星在半導體領域鞏固其地位,還可能為其帶來新的競爭優(yōu)勢和創(chuàng)新動力。

展望未來,三星與英偉達的合作或?qū)㈤_啟半導體行業(yè)的新篇章,推動整個行業(yè)向更高水平邁進。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28316

    瀏覽量

    229873
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15885

    瀏覽量

    181981
  • 英偉達
    +關注

    關注

    22

    文章

    3900

    瀏覽量

    92869
收藏 0人收藏

    評論

    相關推薦

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試

    較為激進的技術路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的
    發(fā)表于 04-18 10:52

    三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)里程碑推遲

    據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?420次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)里程碑延期

    (High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的提升
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?444次閱讀

    英偉加速認證三星新型AI存儲芯片

    近日,英偉首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時透露,英偉正在全力加速對三星最新推出的AI存儲
    的頭像 發(fā)表于 11-26 10:22 ?466次閱讀

    英偉加速認證三星AI內(nèi)存芯片

    近日,英偉公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:34 ?469次閱讀

    三星或重獲英偉游戲芯片訂單

    據(jù)外媒最新報道,三星電子有望重新獲得英偉的未來新款游戲芯片(GPU)制造訂單,這一消息為三星的市場前景注入了新的活力。
    的頭像 發(fā)表于 10-21 18:11 ?705次閱讀

    英偉提升RTX 50系列顯卡,推遲上市計劃

    )差異導致的芯片翹曲及系統(tǒng)潛在故障問題。為解決這一問題,英偉已著手重新設計GPU芯片的頂部金屬層和凸點結構,旨在提升產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 09-04 16:40 ?893次閱讀

    三星否認HBM3E芯片通過英偉測試

    近日,有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:06 ?761次閱讀

    三星電子否認HBM3e芯片通過英偉測試

    韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉的產(chǎn)品測試,預示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉
    的頭像 發(fā)表于 07-05 16:09 ?760次閱讀

    三星電子12nm級DRAM內(nèi)存不足五成

    近日,據(jù)韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的仍低于業(yè)界一般目標的8
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:53 ?891次閱讀

    英偉否認三星HBM未通過測試

    英偉公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM(高帶寬內(nèi)存)的傳聞進行了澄清。他明確表示,英偉仍在認證三星
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:06 ?723次閱讀

    三星HBM研發(fā)受挫,英偉測試未達預期,如何滿足AI應用GPU的市場需求?

    據(jù)DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭,但在英偉
    的頭像 發(fā)表于 05-27 16:53 ?919次閱讀

    三星HBM芯片雖通過英偉測試,仍存挑戰(zhàn)

    對此,三星在聲明中回應道,HBM為定制化內(nèi)存產(chǎn)品,需依據(jù)客戶需求進行優(yōu)化流程。此外,他們正積極與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。對于具體客戶,三星并未作出評價。而英偉
    的頭像 發(fā)表于 05-24 17:07 ?1279次閱讀

    三星HBM芯片因發(fā)熱和功耗問題影響測試,與英偉合作暫時擱淺

    這是三星首次公開承認未能通過英偉測試的原因。三星在聲明中表示,HBM是定制化存儲產(chǎn)品,需“依據(jù)客戶需求進行優(yōu)化”,并強調(diào)正與客戶緊密合作以提升
    的頭像 發(fā)表于 05-24 14:17 ?707次閱讀

    三星HBM芯片遇阻英偉測試

    近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片英偉測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代
    的頭像 發(fā)表于 05-24 14:10 ?672次閱讀

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會員交流學習
    • 獲取您個性化的科技前沿技術信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品