長(zhǎng)電科技推出了一項(xiàng)革命性的高精度熱阻測(cè)試與仿真模擬驗(yàn)證技術(shù)

在芯片封裝技術(shù)日益邁向高密度、高性能的今天，長(zhǎng)電科技引領(lǐng)創(chuàng)新，推出了一項(xiàng)革命性的高精度熱阻測(cè)試與仿真模擬驗(yàn)證技術(shù)。這一技術(shù)標(biāo)志著長(zhǎng)電科技能夠提供更精準(zhǔn)、更高效的熱分析管理，在高密度封測(cè)領(lǐng)域的研發(fā)實(shí)力進(jìn)一步增強(qiáng)，對(duì)于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步具有重要的推動(dòng)意義。

如今電子設(shè)備的功能不斷升級(jí)，設(shè)備更加小巧化，使用環(huán)境更加多樣，過(guò)熱成為電子設(shè)備故障的首要原因。在半導(dǎo)體器件中，熱失效是最常見(jiàn)的失效模式之一：即在短時(shí)間內(nèi)、在局部空間、通過(guò)較大電流時(shí)，芯片的功率損耗會(huì)轉(zhuǎn)化成熱量，容易導(dǎo)致局部溫度快速升高，從而燒毀鍵合材料、EMC材料甚至芯片本身。

半導(dǎo)體器件熱管理便是采用適當(dāng)可靠的方法測(cè)試及控制芯片發(fā)熱單元的溫度，保證器件長(zhǎng)期運(yùn)行的安全性和可靠性。

長(zhǎng)電科技研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)深入研究與開(kāi)發(fā)，設(shè)計(jì)出一套基于百微米級(jí)芯片發(fā)熱模擬單元的熱管理方案。它結(jié)合了先進(jìn)的熱成像技術(shù)、高精度溫度傳感器和定制軟件算法。這一方案能夠等效模擬2.5D多芯片的實(shí)際熱生成狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)對(duì)多芯片溫度的多點(diǎn)原位監(jiān)測(cè)，從而確保高密度封裝中芯片的性能和穩(wěn)定。

在2.5D多芯片高密度封裝中，多熱源的復(fù)雜熱流邊界、相鄰熱源熱耦合、高精度的熱阻測(cè)試、仿真模擬驗(yàn)證都是封裝熱管理的關(guān)鍵。

長(zhǎng)電科技設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)將高精度熱測(cè)試結(jié)構(gòu)函數(shù)導(dǎo)入熱仿真軟件，實(shí)現(xiàn)了仿真模型參數(shù)的閉環(huán)擬合校準(zhǔn)；通過(guò)采用熱阻矩陣法表征多芯片封裝熱耦合疊加效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了多熱源封裝熱阻等效分析。研究結(jié)果表明，多芯片封裝固有熱阻和耦合熱阻均隨著芯片功率密度的增加而提高，芯片的熱點(diǎn)分布對(duì)封裝熱阻值的影響更為顯著。

利用多熱點(diǎn)功率驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)，配合多通道高速采集溫度標(biāo)測(cè)系統(tǒng)，長(zhǎng)電科技已實(shí)現(xiàn)在微小尺度上模擬芯片發(fā)熱情況，并實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)其溫度變化，為研發(fā)人員提供準(zhǔn)確、可靠的數(shù)據(jù)支持，和高效的解決方案，從而協(xié)助客戶(hù)更有效地管理芯片的熱性能，提高了研發(fā)效率，縮短了產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期。長(zhǎng)電科技將持續(xù)致力于提高該方案的精度和效率，大力推動(dòng)高密度封測(cè)領(lǐng)域中熱管理的進(jìn)步。

審核編輯：劉清