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三星推出其首款256GB SD Express microSD存儲卡

三星半導(dǎo)體和顯示官方 ? 來源:三星半導(dǎo)體 ? 2024-02-28 10:38 ? 次閱讀

三星推出其首款256GB SD Express microSD存儲卡,其傳輸速度為三星現(xiàn)有接口速度的4倍以上

三星1TB UHS-1 microSD存儲卡搭載其最新V-NAND技術(shù),現(xiàn)已投入量產(chǎn)

2024年2月28日 - 三星電子今日宣布,已開始向客戶提供其256GB1 SD Express2 microSD存儲卡樣品,該款存儲卡順序讀取速度最高可達(dá)800MB/s,此外,1TB3 UHS-1 microSD存儲卡現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)階段。隨著新一代microSD存儲卡產(chǎn)品的推出,三星將著力打造差異化存儲解決方案,更好滿足未來移動計算和端側(cè)人工智能應(yīng)用的需求。

三星電子品牌存儲事業(yè)部全球副總裁Hangu Sohn表示:

來自移動計算和端側(cè)人工智能應(yīng)用的需求與日俱增,三星推出的這兩款全新microSD卡為應(yīng)對這一問題提供了有效解決方案。盡管存儲卡尺寸極小,但能夠帶來SSD(固態(tài)硬盤)級別的強大性能和超大容量,幫助用戶充分利用要求嚴(yán)格的現(xiàn)代和未來應(yīng)用。

三星首款SD Express microSD存儲卡,傳輸速度最高可達(dá)800MB/s

三星推出了采用SD Express接口的全新高性能microSD卡,這也是與客戶成功合作開發(fā)定制產(chǎn)品的成果。

得益于三星的低功耗設(shè)計以及為實現(xiàn)產(chǎn)品優(yōu)良性能和可靠熱管理而專門優(yōu)化的固件技術(shù),三星SD Express microSD儲存卡能夠以小巧外形尺寸提供與SSD相媲美的性能。傳統(tǒng)microSD存儲卡采用UHS-1接口,讀取速度上限為104MB/s,而SD Express系列產(chǎn)品的最大讀取速度可達(dá)985MB/s,但截至目前,SD Express microSD存儲卡尚未投入商用。

三星SD Express microSD存儲卡的順序讀取速度可達(dá)800MB/s,是SATA SSD(最高560MB/s)的1.4倍、傳統(tǒng)UHS-1接口存儲卡(最高200MB/s)的4倍以上,能夠在PC和移動設(shè)備等多種應(yīng)用端得到更好的計算體驗。為確保SD Express microSD存儲卡性能穩(wěn)定、質(zhì)量可靠,三星采用了動態(tài)散熱保護(Dynamic Thermal Guard)技術(shù),即使長時間使用,也能確保存儲卡溫度始終處于理想水平。

1TB UHS-1 microSD存儲卡,搭載先進(jìn)1Tb V-NAND技術(shù)

三星在全新1TB microSD存儲卡上堆疊了八層三星第8代1Tb V-NAND,實現(xiàn)了過去僅能應(yīng)用于SSD的大容量封裝。全新1TB microSD存儲卡已通過業(yè)內(nèi)測試,即使在極具挑戰(zhàn)性的環(huán)境中也能保持穩(wěn)定可靠。產(chǎn)品具備防水、耐極端溫度、防摔、防磨損、防X射線和防磁?等六重防護特性。

推出時間

256GB SD Express microSD存儲卡將于今年內(nèi)推出,1TB UHS-1 microSD存儲卡預(yù)計將于今年第三季度投入市場。

1 1GB=1,000,000,000字節(jié)(10億字節(jié))。實際可用容量可能會少于標(biāo)識容量。

2 SD Express:全新SD存儲卡接口支持PCIe Gen3x1 協(xié)議(基于2019年2月發(fā)布的SD 7.1規(guī)范),理論傳輸速度可達(dá)985MS/s。

3 1TB=1,000,000,000,000字節(jié)(1萬億字節(jié))。實際可用存儲容量可能會有所不同。

?對于存儲卡數(shù)據(jù)恢復(fù)過程中出現(xiàn)的任何數(shù)據(jù)損壞/損失或費用,三星概不負(fù)責(zé)。六重防護僅針對1TB UHS-1 microSD存儲卡,不包括256GB SD Express microSD存儲卡。1米深度,海水,持續(xù)72小時。工作溫度-25℃至85℃(-13°F to 185°F),非工作溫度-40℃至85℃ (-40°F to 185°F)??沙惺軜?biāo)準(zhǔn)機場X光機器(高達(dá)100mGy)。相當(dāng)于高磁場MRI掃描儀的磁場(高達(dá)15,000高斯)。可承受高達(dá)5米(16.4 英尺)的摔落。最高10,000 次插拔。





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:三星全新microSD存儲卡,憑借強悍性能和高容量助力新時代移動計算和端側(cè)人工智能

文章出處:【微信號:sdschina_2021,微信公眾號:三星半導(dǎo)體和顯示官方】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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