雙向可控硅的工作原理 雙向可控硅的產(chǎn)品分類

雙向可控硅的工作原理

1.雙向可控硅的伏安特性

雙向可控硅的伏安特性曲線，將此圖與單向可控硅特性曲線比較，可看出雙向可控硅的特性曲線與單向可控硅類似，只是雙向可控硅正負(fù)電壓均能導(dǎo)通，所以第三象限曲線與第一象限曲線類似，故雙向可控硅可視為兩個(gè)單向可控硅反相并聯(lián)，雙向可控硅的A、一A的擊穿電壓也不同，即可看出正負(fù)半周的電壓皆可以使雙向可控硅導(dǎo)通。一般使雙向可控硅截止的方法與單向可控硅相同，即設(shè)法降低兩陽(yáng)極間的電流到保持電流以下，雙向可控硅即截止。

雙向可控硅的伏安特性曲線圖

2.雙向可控硅的觸發(fā)

雙向可控硅的觸發(fā)與單向可控硅相似，可用直流信號(hào)，交流相位信號(hào)與脈沖信號(hào)來(lái)觸發(fā)，所不同的是UA-Az為負(fù)電壓時(shí)，仍可觸發(fā)雙向可控硅。

3.雙向可控硅的相位控制

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似，但因雙向可控硅能雙向?qū)ǎ谡?fù)半周均能觸發(fā)，可作為全波功率控制之用。因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn)，更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在交流電的正、負(fù)半周，從規(guī)定時(shí)刻(通常為零值)，開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導(dǎo)通期間所對(duì)應(yīng)的電角度叫導(dǎo)通角0。在右圖(a)中，適當(dāng)調(diào)整觸發(fā)電路的RC時(shí)間常數(shù)即可改變它的控制角。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導(dǎo)通：角150°時(shí)的UAi-z及負(fù)載的電壓波形。一般雙向可控硅所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比單向可控硅小，大體上而言約在600 V，40A以下。

雙向可控硅相位控制電路

雙向可控硅的產(chǎn)品分類

可控硅有多種分類方法。

（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。