羅姆推出新型SBD

來源：Silicon Semiconductor

非常適合汽車LED頭燈和其他高速開關(guān)應(yīng)用。

ROHM（羅姆）開發(fā)了100V擊穿肖特基勢(shì)壘二極管 (SBD)，可為汽車、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中的電源和保護(hù)電路提供“業(yè)界領(lǐng)先”的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)。

盡管存在多種類型的二極管，但高效SBD越來越多地用于各種應(yīng)用。特別是具有溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面型，可在整流應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率。然而，溝槽MOS結(jié)構(gòu)的一個(gè)缺點(diǎn)是它們的trr通常比平面拓?fù)洳?，?dǎo)致用于開關(guān)時(shí)的功率損耗更高。

為此，ROHM開發(fā)了一個(gè)新系列，采用專有的溝槽MOS結(jié)構(gòu)，可同時(shí)降低VF和IR（處于權(quán)衡關(guān)系），同時(shí)實(shí)現(xiàn)同類領(lǐng)先的trr。

YQ系列是ROHM首款采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的YQ系列，它擴(kuò)展了現(xiàn)有的四種傳統(tǒng)SBD產(chǎn)品陣容，并針對(duì)各種要求進(jìn)行了優(yōu)化。該專有設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了同類領(lǐng)先的15ns trr，從而將trr損耗降低了約37%，總體開關(guān)損耗比一般溝槽型MOS產(chǎn)品低約26%，有助于降低應(yīng)用功耗。與傳統(tǒng)平面型SBD相比，新結(jié)構(gòu)還改善了VF和IR損耗。當(dāng)用于正向偏置應(yīng)用（例如整流）時(shí)，這會(huì)降低功率損耗，同時(shí)還降低熱失控風(fēng)險(xiǎn)，而熱失控是SBD的主要問題。因此，它們非常適合需要高速開關(guān)的裝置，例如汽車LED頭燈的驅(qū)動(dòng)電路和xEV中容易產(chǎn)生熱量的DC-DC轉(zhuǎn)換器。

展望未來，羅姆將努力進(jìn)一步提高從低電壓到高電壓的半導(dǎo)體器件的質(zhì)量，同時(shí)加強(qiáng)其廣泛的產(chǎn)品陣容，以進(jìn)一步降低功耗并實(shí)現(xiàn)更大的小型化。

SBD溝槽MOS結(jié)構(gòu)

溝槽MOS結(jié)構(gòu)是通過在外延片層中使用多晶硅形成溝槽來減輕電場(chǎng)集中的。這降低了外延晶圓層的電阻，從而在正向施加電壓時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的VF。同時(shí)，在反向偏壓期間，電場(chǎng)集中最小化，從而大大降低IR。因此，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，YQ系列將VF和IR提高了約7%和82%。

與典型的溝槽MOS結(jié)構(gòu)相比，由于寄生電容（器件中的電阻成分）較大，trr比平面型MOS結(jié)構(gòu)差，YQ系列通過采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的15ns trr。這使得開關(guān)損耗減少約26%，有助于降低應(yīng)用功耗。

應(yīng)用實(shí)例

? 汽車LED頭燈

? xEV DC-DC轉(zhuǎn)換器

? 工業(yè)設(shè)備電源

? 燈光

審核編輯 黃宇