東科推出合封氮化鎵全鏈路解決方案，覆蓋QR、ACF、AHB等多種拓?fù)浼軜?gòu)

前言

傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動(dòng)器+GaN功率器件等，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數(shù)量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數(shù)，減小振鈴，從而降低開(kāi)關(guān)損耗，還不易受初級(jí)電流干擾，提高可靠性和開(kāi)關(guān)速度。電源工程師在應(yīng)用過(guò)程中能更加方便、快捷地完成調(diào)試，加速產(chǎn)品研發(fā)周期。

合封氮化鎵還有成本低，元件數(shù)量少，易于調(diào)試的優(yōu)勢(shì)，簡(jiǎn)化氮化鎵充電器的設(shè)計(jì)，降低氮化鎵快充的開(kāi)發(fā)難度，助力實(shí)現(xiàn)小體積高效率的氮化鎵快充設(shè)計(jì)。在提高空間利用率的同時(shí)降低了生產(chǎn)難度，也有助于降低成本，加快出貨。

東科合封氮化鎵全鏈路解決方案

東科半導(dǎo)體根據(jù)拓?fù)浼軜?gòu)的不同推出了多款合封氮化鎵，這些產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上充分考慮了實(shí)際應(yīng)用環(huán)境和性能要求，以滿(mǎn)足不同行業(yè)和領(lǐng)域的需求。

多種拓?fù)浼軜?gòu)包括ACF架構(gòu)、AHB架構(gòu)與QR架構(gòu)，其中ACF拓?fù)渫ㄟ^(guò)有源鉗位的方式實(shí)現(xiàn)功率管軟開(kāi)關(guān)，既減小開(kāi)關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率，又支持更高開(kāi)關(guān)頻率，可充分發(fā)揮新型功率管氮化鎵GaN的優(yōu)勢(shì)，且利于磁元件小型化。QR拓?fù)鋭t是傳統(tǒng)適配器中采用的一種準(zhǔn)諧振反激拓?fù)?，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制容易等優(yōu)點(diǎn)。AHB則是一種高性能非對(duì)稱(chēng)半橋反激式控制器，可滿(mǎn)足大功率筆記本的需求。

充電頭網(wǎng)將會(huì)對(duì)以上不同架構(gòu)的多款芯片作出相應(yīng)講解。

ACF

DK8607AD

DK8607AD 是一款集成了兩顆 GaN 功率器件的有源鉗位反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK8607AD 利用漏感能量，可以實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率，降低功率管的應(yīng)力，減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8607AD支持最高1MHz開(kāi)關(guān)頻率，效率高達(dá)95%，待機(jī)功耗小于50mW，具備自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間，外圍極致精簡(jiǎn)，同時(shí)具備無(wú)鹵素特性，符合ROHs要求，并內(nèi)置高壓啟動(dòng)和X電容放電電路，可適應(yīng)寬電壓，推薦功率為70W，可為系統(tǒng)提供更高的性能和可靠性。

DK8607AD 極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8607AD 具備完善的保護(hù)功能：輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP），VCC 過(guò)、欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)（OTP），開(kāi)環(huán)保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)（OCP），輸出短路保護(hù)等。

DK8607AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、機(jī)頂盒適配器等領(lǐng)域之中。

與一元硬幣實(shí)觀(guān)對(duì)比。

DK8612AD

DK8612AD是一款集成了兩顆 GaN 功率器件的有源鉗位反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。

DK8612AD 利用漏感能量，可以實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率，降低功率管的應(yīng)力，減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8612AD支持最高1MHz開(kāi)關(guān)頻率，效率高達(dá)95%，待機(jī)功耗小于50mW，具備自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間，外圍極致精簡(jiǎn)，同時(shí)具備無(wú)鹵素特性，符合ROHs要求，并內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)和X電容放電電路，帶有升壓PFC，推薦功率為120W，可為系統(tǒng)提供更高的性能和可靠性。

DK8612AD 極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8612AD 具備完善的保護(hù)功能：輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP），VCC 過(guò)、欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)（OTP），開(kāi)環(huán)保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)（OCP），輸出短路保護(hù)等。

DK8612AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、機(jī)頂盒適配器等領(lǐng)域之中。

與一元硬幣實(shí)觀(guān)對(duì)比。

AHB

DK8710AD

DK8710AD 是一顆基于不對(duì)稱(chēng)半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK8710AD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率。同時(shí)軟開(kāi)關(guān)還可以降低功率管應(yīng)力，減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8710AD的內(nèi)阻為365-480mΩ，推薦應(yīng)用功率為100W。

DK8710AD 外圍精簡(jiǎn)，極大的簡(jiǎn)化了 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8712AD 具備完善的保護(hù)功能：包括過(guò)載保護(hù)、輸出過(guò)壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)、VCC過(guò)/欠壓保護(hù)、VS 引腳異常保護(hù)、初級(jí)過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等，采用DFN8*8封裝。

DK8712AD

相較于DK8710AD，DK8712AD主要是內(nèi)阻進(jìn)一步減少，為270-350mΩ，推薦應(yīng)用功率為120W。

DK8712AD 是一顆基于不對(duì)稱(chēng)半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK8712AD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率。同時(shí)軟開(kāi)關(guān)還可以降低功率管應(yīng)力，減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8712AD 外圍精簡(jiǎn)，極大的簡(jiǎn)化了 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8712AD 具備完善的保護(hù)功能：包括過(guò)載保護(hù)、輸出過(guò)壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)、VCC過(guò)/欠壓保護(hù)、VS 引腳異常保護(hù)、初級(jí)過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等，采用DFN8*8封裝。

DK8715AD

DK8715AD是一顆基于不對(duì)稱(chēng)半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片，其能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管ZVS，副邊整流管ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率。同時(shí)軟開(kāi)關(guān)還可以降低功率管應(yīng)力，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾。

DK8715AD支持最高800KHz開(kāi)關(guān)頻率，待機(jī)功耗小于50mW，具備自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間，外圍極致精簡(jiǎn)，同時(shí)具備無(wú)鹵素特性，符合ROHs要求，并內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)和X電容放電電路，可為系統(tǒng)提供更高的性能和可靠性。

DK8715AD外圍精簡(jiǎn)，可極大簡(jiǎn)化AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8715AD 具備完善的保護(hù)功能：包括過(guò)載保護(hù)、輸出過(guò)壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)、VCC 過(guò)/欠壓保護(hù)、VS 引腳異常保護(hù)、初級(jí)過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等。

DK8715AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、電視電源、兩輪電動(dòng)車(chē)充電器、通信電源、LED電源等領(lǐng)域之中。

與一元硬幣實(shí)觀(guān)對(duì)比。

DK8718AD

相較于DK8715AD，DK8718AD主要是內(nèi)阻進(jìn)一步減少，為115-150mΩ，推薦應(yīng)用功率為180W。

DK8718AD 是一顆基于不對(duì)稱(chēng)半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK8718AD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS，從而提高電源系統(tǒng)效率。同時(shí)軟開(kāi)關(guān)還可以降低功率管應(yīng)力，減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK8718AD 外圍精簡(jiǎn)，極大的簡(jiǎn)化了 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK8718AD 具備完善的保護(hù)功能：包括過(guò)載保護(hù)、輸出過(guò)壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)、VCC過(guò)/欠壓保護(hù)、VS 引腳異常保護(hù)、初級(jí)過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等，采用DFN8*8封裝。

QR

DK012G

東科DK012G是一款集成了 650V/2.2Ω GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK012G 檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng)VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK012G 極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK012G 具備完善的保護(hù)功能：輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP），VCC 過(guò)欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)（OTP），開(kāi)環(huán)保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)（OCP）等。

東科DK012G氮化鎵合封芯片支持250KHz開(kāi)關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路，內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應(yīng)用。

DK020G

東科DK020G是一款集成了 650V/1.2Ω GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK020G 檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng)VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK020G 極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK020G 具備完善的保護(hù)功能：輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP），VCC 過(guò)欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)（OTP），開(kāi)環(huán)保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)（OCP）等。

東科DK020G氮化鎵合封芯片支持250KHz開(kāi)關(guān)頻率，峰值效率高達(dá)92%，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路，內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應(yīng)用。

DK025G

東科DK025G是一款集成了 650V/800mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK025G 檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng)VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK025G 極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK020G 具備完善的保護(hù)功能：輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP），VCC 過(guò)欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)（OTP），開(kāi)環(huán)保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)（OCP）等。

東科DK020G氮化鎵合封芯片支持250KHz開(kāi)關(guān)頻率，峰值效率高達(dá)92.7%，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路，內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應(yīng)用。

DK035G

東科DK035G是一款集成了 650V/600mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK035G 檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng)VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK035G 極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK035G 具備完善的保護(hù)功能：輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP），VCC 過(guò)欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)（OTP），開(kāi)環(huán)保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)（OCP）等。

東科DK035G氮化鎵合封芯片效率最高可達(dá)93%，最高支持250KHz開(kāi)關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路，內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應(yīng)用。

DK045G

東科DK045G是一款高度集成的氮化鎵合封芯片。內(nèi)置650V/400mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片，支持45W及以下功率應(yīng)用。DK045G檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng) VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK045G極大的簡(jiǎn)化了反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密 度的產(chǎn)品。DK045G具備完善的保護(hù)功能：輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP），VCC過(guò)欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)（OTP）， 開(kāi)環(huán)保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)（OCP）等。

東科DK045G采用PDFN5*6封裝模式，可廣泛應(yīng)用于高功率密度PD快充、筆記本平板電腦適配器以及輔助和待機(jī)電源。

相關(guān)閱讀：

1、東科半導(dǎo)體合封氮化鎵芯片應(yīng)用案例匯總

DK045GCD

東科DK045GCD是一款高度集成的氮化鎵合封芯片。內(nèi)置650V/400mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片，支持45W及以下功率應(yīng)用。DK045GCD檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng) VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

DK045GCD極大的簡(jiǎn)化了反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK045GCD具備完善的保護(hù)功能：輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP），VCC過(guò)欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)（OTP）， 開(kāi)環(huán)保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)（OCP）等。

東科DK045GCD通過(guò)IEC 62368-1:2018安全認(rèn)證，編號(hào)為NO123514，采用DFN8*8封裝模式，可廣泛應(yīng)用于高功率密度PD快充、筆記本平板電腦適配器以及輔助和待機(jī)電源。

DK065G

DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片，其中集成了控制和驅(qū)動(dòng)電路。

DK065G采用了專(zhuān)利的谷底鎖定QR算法，在降低開(kāi)通損耗，提高系統(tǒng)效率的同時(shí)，穩(wěn)定的鎖谷底算法避免了音頻噪聲的引入，大大簡(jiǎn)化了高功率密度反激電源的設(shè)計(jì)。DK065G具備完善的保護(hù)功能，支持輸出過(guò)壓保護(hù)，供電過(guò)壓、欠壓保護(hù)，過(guò)熱保護(hù)等保護(hù)功能。

東科DK065G通過(guò)IEC 62368-1:2018安全認(rèn)證，編號(hào)為NO123514，采用DFN8*8封裝，外圍元件精簡(jiǎn)，適用于高功率密度快充適配器，筆記本電源適配器等應(yīng)用。

與一元硬幣比較。

相關(guān)閱讀：

1、東科半導(dǎo)體合封氮化鎵芯片應(yīng)用案例匯總

2、單芯片實(shí)現(xiàn)65W，東科合封氮化鎵芯片DK065G規(guī)?；逃?/p>

DK075G

東科半導(dǎo)體的合封氮化鎵系列產(chǎn)品DK075G內(nèi)部集成了650V/160mΩ氮化鎵功率管，并集成了控制和驅(qū)動(dòng)電路芯片。DK075G采用了專(zhuān)利的谷底鎖定QR算法，在降低開(kāi)通損耗，提高系統(tǒng)效率的同時(shí)，穩(wěn)定的鎖谷底算法避免了音頻噪聲的引入，大大簡(jiǎn)化了高功率密度反激電源的設(shè)計(jì)。

DK075G峰值效率高達(dá)94.3%，最高支持250KHz開(kāi)關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置算法優(yōu)化的谷底檢測(cè)電路和谷底鎖定電路以及退磁檢測(cè)電路和抖頻電路，可有效改善EMI，同時(shí)內(nèi)置的高低壓輸入功率補(bǔ)償電路可保證高低壓下最大輸出功率一致。DK075G具備無(wú)鹵素特性，符合ROHs要求。

DK075G具備完善的保護(hù)功能，支持輸出過(guò)壓保護(hù)，供電過(guò)壓、欠壓保護(hù)，過(guò)熱保護(hù)等保護(hù)功能。

東科DK075G采用DFN8*8封裝，外圍元件精簡(jiǎn)，適用于高功率密度快充適配器，筆記本電源適配器等應(yīng)用。