芯聯(lián)集成年逆勢增長，強化研發(fā)鞏固領先地位

芯聯(lián)集成于1月30日披露業(yè)績預告顯示，盡管面臨全球經濟震蕩、半導體行業(yè)恢復慢且市場競爭激烈的嚴峻形勢，公司2023年業(yè)績仍實現(xiàn)逆風而行。預計全年營業(yè)收入達53.25億元，環(huán)比增長7.19億元，增幅達到15.60%，主營業(yè)務收入則有望達到49.04億元，同比增長9.45億元，漲幅超過23.88%。期內預計實現(xiàn)的EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）約為9.37億元，同比攀升1.27億元，增速高達15.66%；經營性凈利潤約為25.18億元，比去年增加11.84億元，猛增88.75%。增收不減支，在保持業(yè)績高速增長的同時，公司還在研發(fā)投入和產業(yè)鏈布局上加碼發(fā)力，取得顯著成效，大幅提升了公司經營活動現(xiàn)金流量和品牌美譽度。

借助全球新能源汽車市場繁榮和國產替代需求提升的良好契機，芯聯(lián)集成專注高端車載產品領域，以“科技+市場”雙重保障策略推動收入上漲和經營性凈現(xiàn)金流的擴大。到2023年底，公司已建立起包含各類功率半導體研發(fā)、量產平臺在內的高質、頂尖研發(fā)團隊，成為全國范圍內最大的MEMS傳感器芯片代工廠之一，并在車規(guī)級IGBT芯片、SiC MOSFET芯片及模組封裝等領域獨領風騷。

公司具備強大自主研發(fā)和規(guī)?；a能力，注重關鍵技術的研發(fā)和應用。2023年，芯聯(lián)集成更是在8英寸功率半導體、MEMS器件、連接等多個領域加大科研力量投入，同時加大對SiC MOSFET、12英寸產品的研發(fā)力度。預計全年研發(fā)投入高達15.13億元，占全年營收的28%，比去年增加6.74億，新增發(fā)明專利申請數累計已達295項，獲取新專利102個。這些新探索成果為公司未來的發(fā)展打下堅實基礎。

沿著科研攻關道路的芯聯(lián)集成還進行了一系列重要項目的產線建設和擴充計劃，包括12英寸生產線、SiC MOSFET生產線以及模組封裝生產線等。預計2023年購買固定資產、無形資產和其他長期資產的現(xiàn)金支出總計約為101.00億元，預計產生的折舊及攤銷費用約為34.71億元，增幅超過13.90億元。雖然這些開銷給公司2023年的經營業(yè)績帶來了一定壓力，但經過剔除非折舊攤銷等因素后，芯聯(lián)集成2023年EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）仍有望達到9.37億元，較之前一年增長1.27億元，上升15.66%。伴隨新增產能逐步投入使用，收入攀升，規(guī)模效益逐步顯現(xiàn)，以及折舊逐漸抵償，公司在業(yè)務布局、技術領先地位、產品結構等方面的優(yōu)勢將更加突出，公司盈利能力也將加速提升。

憑借完善的技術布局、雄厚的技術積累、多樣化的工藝平臺以及規(guī)?；纳a能力，芯聯(lián)集成可針對不同領域客戶的定制化、多樣化性能需求快速反應，提供一站式的晶圓代工解決方案，這使得芯聯(lián)集成可以在動態(tài)多變的環(huán)境下持續(xù)創(chuàng)造并保持競爭優(yōu)勢，呈現(xiàn)出蓬勃的發(fā)展活力和巨大潛力。

面向未來，公司持續(xù)看好汽車電動化、智能化進程，隨著新產品、新應用、新客戶的拓展，預計公司車規(guī)級產品營業(yè)收入將持續(xù)增加，特別是SiC MOSFET上車速度與數量將快速提升，公司最新一代的SiC MOSFET產品性能已達世界領先水平，正在建設的國內第一條8英寸SiC器件研發(fā)產線將于2024年通線，同時將與多家新能源汽車主機廠簽訂合作協(xié)議，2024年SiC業(yè)務營收預計將超過10億元，繼續(xù)鞏固公司在國內車規(guī)級芯片代工與模組封測領域的領先地位。

公司已經完整搭建了覆蓋車載、工控、消費類的驅動、電源和信號鏈多個平臺，客戶群廣泛覆蓋國內外的領先的芯片和系統(tǒng)設計公司。隨著公司產品研發(fā)創(chuàng)新以及SiC MOSFET產線、12英寸產線、以及模組封測產線產能的不斷釋放，將對公司2024年營業(yè)收入的貢獻將持續(xù)不斷提升。