microLED的材料應(yīng)用需求方案

Micro LED顯示技術(shù)就是將傳統(tǒng)LED進行矩陣化、微縮化的一項技術(shù)，其利用微米尺寸的無機LED器件作為發(fā)光像素，來實現(xiàn)主動發(fā)光矩陣式顯示，可廣泛應(yīng)用于手機、平板、電視、筆記本電腦、AR/VR 設(shè)備、戶外顯示器、車載顯示器等顯示領(lǐng)域，應(yīng)用范圍涵蓋了目前所有的電子產(chǎn)品領(lǐng)域，Micro LED 憑借其優(yōu)異的技術(shù)性能和潛在的應(yīng)用價值，被認為是下一個世代的顯示技術(shù)。

雖然Micro LED與傳統(tǒng)的OLED和LCD技術(shù)相比具有顯著的優(yōu)勢，但該技術(shù)尚不成熟，在芯片、背板、巨量轉(zhuǎn)移、全彩化等方面仍然存在一些技術(shù)瓶頸需要攻克，如：芯片技術(shù)的Micro LED晶圓的波長一致性、芯片發(fā)光特性和可靠性等；背板技術(shù)的刷電路板的膨脹系數(shù)較大對巨量轉(zhuǎn)移效果的影響以及玻璃基板橫/縱向尺寸變化對加工工藝的高標準要求。巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的芯片轉(zhuǎn)移到TFT電路基板上的高精度和高轉(zhuǎn)移良率。全彩化技術(shù)中的三色RGB法需轉(zhuǎn)移的芯片數(shù)量多、難度大，效率低等。Micro LED顯示技術(shù)成立的前提就是精度，如果精度低，就難以實現(xiàn)高性能的Micro LED顯示;尤其是最核心的芯片制造技術(shù)和巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)。

無論是芯片制造技術(shù)，還是巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，要實現(xiàn)量產(chǎn)的良率和效率，都離不開材料的創(chuàng)新和發(fā)展，microLED是目前中國在顯示屏代際中與國外技術(shù)水平差異最小的產(chǎn)業(yè)，也是在材料和設(shè)備國產(chǎn)化替代中最具潛力的行業(yè)，新綸光電一直致力于microLED巨量轉(zhuǎn)移材料的開發(fā)和應(yīng)用研究。

轉(zhuǎn)移到背板上的microLED還需要進行封裝保護，才能實現(xiàn)高品質(zhì)的顯示畫面。然而Micro-LED顯示除了其自身的集成工藝問題外，在顯示終端應(yīng)用時，由于Micro-LED顯示自身的技術(shù)特點，有一些應(yīng)用問題：如Micro-LED顯示上表面沒有濾光片，抗環(huán)境光能力差；紅綠藍三色芯片光場分布不同和相鄰像素之間發(fā)光串擾問題造成大角度色偏問題；Micro-LED顯示終端多為多塊拼接的，所以很難保證每一塊顯示單元上的所有芯片波長都能滿足此要求，另外由于每顆芯片的典型驅(qū)動電壓均有浮動，就會造成單色場每一塊Micro-LED顯示單元在光色一致性上均勻程度較差。這些應(yīng)用顯示的問題可以通過一系列特殊性能的封裝材料用于表面保護來進行改善，最終實現(xiàn)設(shè)計的顯示效果。新綸光電開發(fā)的一系列Micro LED封裝應(yīng)用相關(guān)材料，如高硬度光學封裝材料、microLED拼接材料、墨色一體黑填充材料、啞光顯示材料，可有效滿足Micro LED在封裝保護中的材料使用需求。

審核編輯 黃宇