半導(dǎo)體資料丨濕法刻蝕鍺，過(guò)氧化氫點(diǎn)解刻蝕，Cu電鍍

用濕法腐蝕法從塊狀鍺襯底上制備亞10 um厚的鍺薄膜

低檢測(cè)密度的鍺薄膜對(duì)于研究缺陷密度對(duì)基于鍺的光學(xué)器件（光學(xué)探測(cè)器、LED和激光器）性能極限的影響至關(guān)重要。Ge減薄對(duì)Ge基多結(jié)太陽(yáng)能電池也很重要。在本工作中，從蝕刻速率、表面形貌和表面粗糙度方面研究了使用三種酸性H，O溶液（HF、HCl和H，SO）的Ge濕法蝕刻。HCI-H，O，-H，0（1:1:5）被證明可以濕蝕刻535ym厚的體Ge襯底至4.1um，相應(yīng)的RMS表面粗糙度為10nm，據(jù)我們所知，這是通過(guò)濕蝕刻方法從體Ge中獲得的最薄的Ge flm。

用過(guò)氧化氫電解蝕刻鍺基板

鍺的陽(yáng)極電解蝕刻已經(jīng)在過(guò)氧化氫蝕刻劑中在受控的外部條件下進(jìn)行。相對(duì)于蝕刻劑組成和攪拌速率，測(cè)量并跟蹤原位電流和非原位蝕刻深度。發(fā)現(xiàn)蝕刻過(guò)程中形成的氣泡會(huì)導(dǎo)致蝕刻電流和表面質(zhì)量的不均勻性。效果是

在特定的合成空間中最小化。定量分析顯示，鍺氧化過(guò)程中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)量與去除的表面原子數(shù)量呈線性相關(guān)。2.77電子/原子的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與先前報(bào)道的硅的4電子/原子有顯著差異。

不同厚度硅襯底的 Cu 電鍍 GaN_AlGaN 高電子遷移率晶體管的熱性能

散熱是功率器件的一個(gè)重要問(wèn)題。在這項(xiàng)工作中，考慮了熱效應(yīng)對(duì)銅電鍍GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）性能的影響。使用電學(xué)、測(cè)溫和微拉曼表征技術(shù)來(lái)關(guān)聯(lián)具有不同厚度的Si襯底（50100150μm）的GaN HEMT的改進(jìn)的散熱對(duì)器件性能的影響，包括和不包括額外的電鍍Cu層。與裸露的Si襯底相比，電鍍Cu on Si（≤50μm）上的GaN HEMT的開(kāi)/關(guān)電流比提高了約400倍（從9.61×105到4.03×108）。特別重要的是，表面溫度測(cè)量顯示，與沒(méi)有電鍍Cu樣品的HEMT器件相比，具有電鍍銅樣品的較薄HEMT器件的溝道溫度要低得多。

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審核編輯 黃宇